RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Ковалюк Захар Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Оперативный контроль полупроводниковых кристаллов InSe и GaSe методом ядерного квадрупольного резонанса

    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1055–1058
  2. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/$p$-InSe

    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  339–343
  3. Наблюдение индуктивно-подобного эффекта в суперконденсаторе

    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  91–96
  4. Структурные характеристики и магнитные свойства монокристаллов A$_2^5$B$_3^6$, интеркалированных кобальтом

    ЖТФ, 85:11 (2015),  86–90
  5. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов $n$-ITO/$p$-GaTe

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  612–616
  6. Морфология, химический состав и электрические характеристики гибридных структур, выращенных на основе нанокомпозита (Ni–C) на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) GaSe

    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2050–2061
  7. Структура и магнитные свойства слоистых кристаллов InSe, интеркалированных кобальтом

    ЖТФ, 84:10 (2014),  44–47
  8. Фоточувствительные анизотипные гетеропереходы $n$-ZnSe/$p$-InSe и $n$-ZnSe/$p$-GaSe

    ЖТФ, 84:8 (2014),  102–105
  9. Анизотропия спектров фотоотклика гетеропереходов на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe

    ЖТФ, 84:3 (2014),  99–102
  10. Коэффициент фотоплеохроизма и его температурная динамика в гетеропереходах собственный оксид-$p$-InSe

    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  797–800
  11. Влияние температурного отжига на качество слоистых монокристаллов InSe и характеристики гетеропереходов $n$-InSe–$p$-InSe

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  564–569
  12. Действие тормозного гамма-нейтронного излучения на параметры индий-селеновых фотопреобразователей

    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  253–258
  13. Магнитные свойства и морфология поверхности слоев кристаллов In$_2$Se$_3$, интеркалированных кобальтом

    Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1063–1070
  14. Влияние внешних воздействий на самоорганизацию наноструктур теллуридов свинца и олова на поверхности (111) BaF$_2$ в условиях, близких к термодинамическому равновесию

    Физика твердого тела, 55:1 (2013),  163–176
  15. Чувствительные элементы преобразователей давления на основе слоистых интеркалированных кристаллов InSe, GaSe и Bi$_2$Te$_3$

    ЖТФ, 83:12 (2013),  137–140
  16. Оптические свойства тонких пленок TiO$_2$–MnO$_2$, изготовленных по методу электронно-лучевого испарения

    ЖТФ, 82:8 (2012),  110–113
  17. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdZnO/$p$-CdTe

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1175–1180
  18. Влияние отжига на спектры ядерного квадрупольного резонанса селенидов галлия–индия и характеристики структур на их основе

    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1168–1174
  19. Ферромагнетизм слоистых полупроводников GaSe, интеркалированных кобальтом

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  995–998
  20. Исследование морфологии ван-дер-ваальсовой поверхности монокристалла InSe

    Физика твердого тела, 53:3 (2011),  579–589
  21. Механизмы токопереноса в анизотипных гетеропереходах $n$-TiO$_2$/$p$-CdTe

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1109–1113
  22. Транспорт носителей заряда в композитных наноструктурах на основе слоистого полупроводника $p$-GaSe и сегнетоэлектрика KNO$_3$

    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  348–359
  23. Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл)–(слоистый полупроводник) Ni/$p$-GaSe

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  180–193
  24. Влияние интеркалирования нитридом натрия и калия на физические свойства моноселенида индия

    Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3608–3610
  25. Некоторые закономерности и новые возможности интеркалированных халькогенидных полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1992–1994
  26. Влияние интеркалирования атомами металлов на энергетический спектр Bi$_{2}$Te$_{3}$

    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  812–816
  27. Влияние структуры и фазового состава на свойства пленок Bi$_{x}$Sb$_{2-x}$Te$_{3}$

    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2845–2847
  28. Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур $4.2{-}30$ K

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1413–1416
  29. Особенности термоэлектрических и электрических свойств слоистого полупроводника InSe при низких температурах

    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  418–422
  30. Особенности изменения физических свойств InSe интеркалированием хлором

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  386–388
  31. Экситон-экситонное взаимодействие и резонансные нелинейности в GaSe

    Физика твердого тела, 31:6 (1989),  131–138
  32. Фотополяризационные процессы в интеркалатах Li$_{x}$GaSe и Li$_{x}$InSe

    Физика твердого тела, 31:2 (1989),  222–224
  33. Влияние интеркаляции литием на положение уровня Ферми и концентрацию свободных носителей заряда в теллуриде висмута

    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2083–2085
  34. Особенности инжекции неосновных носителей заряда в анизотипной ПТДП структуре

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1510–1512
  35. Новые аспекты интеркаляции

    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  87–90
  36. ЯМР в водородной подсистеме соединения внедрения H$_{x}$GaSe

    Физика твердого тела, 30:8 (1988),  2510–2511
  37. Управление размерностью электронного газа в слоистых полупроводниках InSe с помощью сверхпроводящего интеркалянта

    Физика твердого тела, 30:4 (1988),  1246–1248
  38. Фотовольтаический эффект в GaSe

    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  382–385
  39. Стабильные парамагнитные комплексы из иона гадолиния и дырки в слоистом полупроводнике GaSe

    Физика твердого тела, 30:1 (1988),  82–87
  40. Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1657–1660
  41. Влияние лазерного облучения на низкотемпературные спектры фотопроводимости и фотолюминесценции селенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1595–1600
  42. Новый способ получения фоточувствительных барьеров на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe

    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2104–2107
  43. Исследование динамики фазового перехода в дибензилинтеркалатах селенида галлия методом ЯМР

    Физика твердого тела, 29:11 (1987),  3506–3508
  44. Экситонные спектры интеркалированных монокристаллов селенидов индия и галлия

    Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2836–2838
  45. Исследование состояния примеси в водородных интеркалатах селенида галлия методом ЯМР

    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2191–2193
  46. Влияние базисных дефектов кристаллической структуры на экситонные спектры люминесценции селенида галлия

    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2163–2165
  47. Влияние примеси Mn на экситон-фононное взаимодействие в кристаллах GaSe

    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  1921–1927
  48. Поляризационные эффекты в интеркалированном моноселениде галлия

    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1508–1509
  49. Модели примесных центров гадолиния в слоистом GaSe

    Физика твердого тела, 29:1 (1987),  28–32
  50. Об одном из механизмов формирования фотоэдс в ПТДП структурах

    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2094–2096
  51. Двумерная проводимость в InSe при низких температурах

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1001–1004
  52. Магнитная восприимчивость слоистых полупроводников InSe, GaSe

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  176–177
  53. Особенности экситонных спектров люминесценции кристаллов $\gamma$-InSe, содержащих дефекты упаковки

    Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3591–3594
  54. Исследование релаксационных характеристик излучения кристаллов GaSe при интенсивном пикосекундном возбуждении

    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3559–3561
  55. Плотность электронных состояний и фазировка волн зарядовой плотности в 2$H$–NbSe$_{2}$

    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  1982–1990
  56. Возникновение электретного состояния в слоистых интеркалированных монокристаллах GaSe

    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1263–1265
  57. Экранирование экситонов в полупроводнике GaSe

    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1035–1042
  58. Оптическая бистабильность на экситонах в $\mathrm{GaSe}$ при низких уровнях возбуждения

    Докл. АН СССР, 280:3 (1985),  591–593
  59. О природе собственных дефектов слоистых полупроводников GaSe

    Физика твердого тела, 27:12 (1985),  3696–3699
  60. Смена механизма оптической бистабильности в GaSe

    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  432–438
  61. Осцилляции в неохлаждаемом полупроводниковом бистабильном элементе

    ЖТФ, 55:6 (1985),  1177–1179
  62. Оптическая мультистабильность в полупроводнике

    Письма в ЖТФ, 11:5 (1985),  257–260
  63. Экситонное поглощение и люминесценция кристаллов селенида индия

    Физика твердого тела, 26:8 (1984),  2487–2491
  64. Влияние изотермического отжига на спектры люминесценции монокристаллов GaSe

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1300–1303
  65. Особенности электрических свойств селенида индия

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  154–155
  66. Новый вид оптического гистерезиса

    Письма в ЖТФ, 10:6 (1984),  350–353
  67. Оптическая бистабильность в $\mathrm{GaSe}$

    Докл. АН СССР, 271:3 (1983),  611–614
  68. Излучение свободных и связанных экситонов в слоистых кристаллах селенида галлия

    Физика твердого тела, 25:2 (1983),  445–449
  69. Спектры отражения гетеропереходов GaSe$-$SnO$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1883–1884
  70. Фотолюминесценция и ЭПР селенида галлия, легированного редкоземельными элементами

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1710–1713
  71. Анизотропия фотопроводимости слоистых кристаллов GaSe и InSe, измеренная бесконтактным СВЧ методом

    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1230–1234
  72. Фотолюминесцентные свойства моноселенида индия, интеркалированного кадмием

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  814–817

© МИАН, 2026