Карпов В Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электролюминесценция в $p{-}i{-}n$-структурах на основе $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  750–754
2. Механизм генерации заряда в МДП структуре
   
   Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2013–2018
3. Частотная зависимость емкости в МДП структурах на основе некристаллических полупроводников
   
   Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2109–2111
4. Двухканальный электронный перенос в стеклообразных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  314–318
5. Локализованные электронные состояния в стеклообразных полупроводниках (обзор)
   
   Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  3–17
6. Многофононная прыжковая проводимость
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1811–1815
7. Кинетика затухания фотолюминесценции в стеклообразных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  309–313
8. Низкотемпературное тепловое расширение аморфных полупроводников
   
   Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  944–946
9. Вероятность захвата и дисперсионный перенос в некристаллических полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  541–543
10. Электронные двухуровневые системы и проводимость на переменном токе в стеклообразных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  123–130
11. Протекание тока в поликристаллических пленках с нарушениями сплошности
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1698–1700
12. Температурное гашение фотолюминесценции в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1324–1327
13. Двухъямные критические потенциалы – типичные неодноямные атомные потенциалы в аморфных системах
    
    Докл. АН СССР, 269:6 (1983),  1341–1345