Соколов Игорь Альбертович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Нестационарная фотоэдс в периодически поляризованном кристалле MgO : LiNbO$_3$
   
   Физика твердого тела, 65:2 (2023),  207–211
2. Фазовые превращения аморфного бинарного полупроводника в процессе импульсного лазерного воздействия
   
   Физика твердого тела, 33:1 (1991),  99–103
3. Исследование кристаллического качества твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As в зависимости от реконструкции поверхности в процессе эпитаксиального роста из молекулярных пучков
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  42–44
4. Линейки мощных полупроводниковых лазеров, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  31–34
5. Исследование полупроводникового AlGaAs$-$GaAs гетеролазера, изготовленного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  6–10
6. Нестационарная фотоэдс при двухчастотном нелинейном режиме возбуждения
   
   ЖТФ, 59:10 (1989),  126–129
7. Динамика плавления и кристаллизации тонких аморфных имплантированных слоев кремния под действием наносекундных лазерных импульсов
   
   Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  13–17
8. Лазерная очистка подложки для молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия: исследование с помощью дифракции быстрых электронов
   
   Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  67–69
9. Нестационарная фотоэдс в нелинейном режиме возбуждения
   
   ЖТФ, 58:2 (1988),  429–431
10. Исследование вольтамперных характеристик гетеропереходов $p$-Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te/$n$-PbTe$_{0.92}$Se$_{0.08}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1474–1478
11. О влиянии примеси внедрения на люминесцентные свойства имплантированного фосфида индия после лазерного отжига
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  176–181
12. О восстановлении люминесцентных свойств имплантированного фосфида индия под действием импульсного лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1217–1222
13. Динамика плавления кристаллического фосфида индия под действием наносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1119–1122
14. Аномальное поведение оптических характеристик расплава фосфида индия, полученного при воздействии наносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1115–1119
15. Исследование особенностей плавления GaAs в условиях двухдлинноволнового лазерного отжига
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2144–2148
16. Инжекционный гетеролазер InGaAsP/InP с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2034–2036
17. О плавлении графита и алмаза при воздействии наносекундных лазерных импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  921–924
18. О воздействии наносекундных лазерных импульсов на фосфид индия
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  916–920
19. Фотолюминесценция ионно-имплантированного $Ga\,As$ после наносекундного лазерного воздействия
    
    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  368–371
20. Двухдлинноволновый лазерный отжиг полупроводников
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1408–1410
21. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца
    
    Докл. АН СССР, 269:3 (1983),  607–609
22. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  235–241
23. Новый фазовый переход в SiC и GaAs под действием пикосекундных лазерных импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 9:22 (1983),  1373–1376
24. Аморфизация монокристаллического арсенида галлия под действием пикосекундных световых импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 9:15 (1983),  897–900
25. Эпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках GaP в условиях интерференционного лазерного отжига
    
    Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  850–853