Ситникова Алла Алексеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изменение структуры и люминесцентных свойств пленок ZnSe и ZnCdSe при облучении электронным пучком
   
   Физика твердого тела, 64:2 (2022),  228–236
2. Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки
   
   Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019),  297–302
3. Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  381–386
4. Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  127–132
5. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  56–62
6. Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  67–74
7. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1726
8. Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  807–810
9. Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  66–71
10. Наноструктурированные магнитные пленки оксидов железа, полученные методом лазерного электродиспергирования
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  62–69
11. Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  40–48
12. Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1024–1030
13. Исследование структуры пленочных трехмерно-упорядоченных макропористых нанокомпозитов GaN–ZnS : Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  672–676
14. Пластины кристаллического GaN большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  84–90
15. Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/ Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  36–43
16. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений
    
    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  60–68
17. Структура наноалмазов, полученных методом лазерного синтеза
    
    Физика твердого тела, 55:8 (2013),  1633–1639
18. Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si
    
    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  591–601
19. Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1279–1282
20. Структура и транспортные свойства наноуглеродных пленок, полученных сублимацией на поверхности на 6H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  267–272
21. Получение структур из аморфных металлических наночастиц диспергированием металлических капель, непрерывно заряжаемых в потоке электронов
    
    ЖТФ, 82:6 (2012),  135–141
22. Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N c различной морфологией
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1022–1026
23. Коллективные эффекты в системе структурных дефектов нитрида галлия в условиях гомоэпитаксии на пористой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  31–36
24. Исследование процесса формирования наноразмерных кластеров кремния в диоксиде кремния при облучении электронным пучком
    
    Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1399–1405
25. Характеристики магнетизма в нанопористом углероде с кластерами палладия
    
    Физика твердого тела, 53:5 (2011),  956–963
26. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1379–1385
27. Фотоэлектрические свойства пористых гетероструктур GaN/SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1369–1372
28. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  829–835
29. Классификация линий дислокационной люминесценции в кремнии
    
    Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1513–1521
30. Механизм микродефектов при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния
    
    Физика твердого тела, 33:11 (1991),  3229–3234
31. Коэситная природа стержнеобразных дефектов в выращенном по Чохральскому и отожженном кремнии
    
    Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3659–3667
32. Поля напряжений и дифракционный контраст стержнеобразных дефектов в кремнии
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2040–2045
33. Образование структурных дефектов в кремнии и влияние на этот процесс углерода и марганца
    
    ЖТФ, 58:11 (1988),  2272–2274
34. Исследование микродефектов $D$-типа в монокристаллах кремния
    
    Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2623–2628
35. Исследование природы микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния
    
    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1829–1833
36. Диффузное рассеяние от стержнеобразных дефектов в кристаллах кремния с кислородом
    
    Физика твердого тела, 27:3 (1985),  673–677
37. Измерение локальной толщины кристаллов и получение профилей распределения дефектов по глубине и ионно-легированных слоях кремния методом электронной микроскопии
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1330–1333


38. Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2058–2066