Фирсов Дмитрий Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптическая спектроскопия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в диапазоне $\sim$ 1.55 мкм
   
   Письма в ЖЭТФ, 123:1 (2026),  3–12
2. Влияние Ge нанослоев и квантовых точек на фотолюминесцентные свойства гетероструктур с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si
   
   Физика твердого тела, 67:9 (2025),  1642–1646
3. Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  544–547
4. Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te, легированных мышьяком
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  491–494
5. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  980–992
6. Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  765–769
7. Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$–$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения
   
   Письма в ЖТФ, 48:2 (2022),  34–36
8. Регистрация спектров инфракрасной фотолюминесценции методом стробируемого интегрирования в режиме активного вычитания фонового сигнала
   
   Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  134–139
9. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1289–1295
10. Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1011–1017
11. Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  381–386
12. Фотоотражение антимонида индия
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2307–2313
13. Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  33–39
14. Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев Al$_x$In$_{1-x}$Sb из спектров отражения
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  258–263
15. Фотомодуляционная ИК фурье-спектроскопия полупроводниковых структур: особенности фазовой коррекции и применение метода
    
    Письма в ЖТФ, 39:23 (2013),  87–94
16. Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$Sb
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1481–1485