Чернов Михаил Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние конструкции и условий роста метаморфных гетероструктур In(Ga,Al)As/GaAs на электрофизические параметры двумерного канала In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/InAlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  142–148
2. Снижение плотности дислокаций в метаморфных гетероструктурах путем оптимизации конструкции буферного слоя с нелинейным профилем изменением состава
   
   Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  153–159
3. Терагерцевая генерация в эпитаксиальных пленках InAs
   
   Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  51–54
4. Распределение дислокаций несоответствия и упругих механических напряжений в метаморфных буферных слоях InAlAs разной конструкции
   
   Физика твердого тела, 63:1 (2021),  85–90
5. Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки
   
   Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019),  297–302
6. Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  381–386
7. Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  127–132
8. Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне
   
   Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  33–39