Якушев Михаил Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние интенсивности возбуждения и температуры на фотолюминесценцию тонких пленок соединения Cu$_2$ZnSnSe$_4$
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1699–1707
2. Электронные свойства топологического изолятора Sb$_2$Te$_2$Se
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  192–195
3. Irradiation of Cu(In, Ga)Se$_2$ Thin Films by 10 MeV Electrons at 77 K: Effect on Photoluminescence Spectra
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  546
4. Fabrication of Cu$_2$ZnSnSe$_4$ thin films by selenising Cu$_{1.8}$Se, SnSe, and ZnSe precursor layers: effects of the sequence of layers
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  819
5. Излучательная рекомбинация на ионно-индуцированных дефектах в тонких пленках твердых растворов Cu(In, Ga)Se$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  127–133
6. Спонтанное и стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In$_{1-x}$Ga$_{x}$)(S$_{y}$Se$_{1-y}$)$_{2}$ в составе солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1058–1065
7. Excitons in PL spectra of Cu(In, Ga)Se$_{2}$ single crystal
   
   Физика твердого тела, 61:5 (2019),  1002
8. A PL and PLE study of high Cu content Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$ films on Mo/glass and solar cells
   
   Физика твердого тела, 61:5 (2019),  1001
9. Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1120–1125
10. О положении атома $\mathrm{F}$ в структуре твердых растворов $\mathrm{CaF}_2$–$\mathrm{Gd}^{3+}$
    
    Докл. АН СССР, 262:4 (1982),  883–886