Фёльсков М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Диффузия атомов In в пленках SiO$_{2}$, имплантированных ионами As$^{+}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  217–223
2. Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019),  258–264
3. Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1023–1029
4. Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1289–1294
5. Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1228–1233
6. Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов
   
   Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  591–597