|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением
Письма в ЖЭТФ, 119:9 (2024), 692–696
-
Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками
Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024), 238–241
-
Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками
Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 414–420
-
Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF$_2$/Si(111)
Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 748–752
-
Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках
Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 725–728
-
Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем
Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019), 258–264
© , 2026