Новиков Иннокентий Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние морфологии подложек InP на шероховатость интерфейсов и дефектность гетероструктур квантово-каскадных лазеров
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  439–444
2. Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  23–28
3. Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  13–15
4. Перестраиваемый квантово-каскадный лазер для определения концентрации метана
   
   Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  66–70
5. Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  58–62
6. Одночастотная генерация на радиальных модах в квантово-каскадных лазерах на основе селективного кольцевого резонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  52–56
7. Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  41–44
8. Влияние длительности импульса накачки и фактора заполнения на мощностные характеристики квантово-каскадных лазеров
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  54–58
9. Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  529–532
10. Исследование температурной зависимости темновых токов pin-фотодиодов на основе эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.83}$Ga$_{0.17}$As/InP с метаморфными буферными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  358–364
11. Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  318–325
12. Мощный перестраиваемый квантово-каскадный лазер
    
    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  65–68
13. Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP
    
    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  48–52
14. Квантово-каскадные лазеры на основе активной области с малой чувствительностью к флуктуации толщины слоев
    
    Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  18–21
15. Нагрев квантового каскадного лазера при импульсной накачке: теория и эксперимент
    
    Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  3–7
16. Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  23–27
17. Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями
    
    Квантовая электроника, 54:2 (2024),  100–103
18. Особенности эпитаксиального роста методом МПЭ тонких сильно напряженных слоев InGaAs/InAlAs на подложках InP
    
    ЖТФ, 93:8 (2023),  1166–1172
19. Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин
    
    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1486–1489
20. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор вертикально излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m
    
    Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1095–1100
21. Исследование фотолюминесценции в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками спектрального диапазона 1100 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  63–70
22. Генерация случайных последовательностей за счет переключения поперечных мод в квантовом каскадном лазере
    
    Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  35–38
23. Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм
    
    Квантовая электроника, 53:8 (2023),  641–644
24. Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм
    
    Квантовая электроника, 53:5 (2023),  370–373
25. Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1002–1010
26. Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  933–939
27. Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  908–914
28. Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  814–823
29. Исследование пространственных характеристик излучения поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с кольцевым резонатором
    
    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  601–606
30. Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц
    
    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  357–362
31. Особенности одночастотной генерации в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 7.5–8.0 $\mu$m с малой длиной резонатора
    
    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  7–10
32. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
    
    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
33. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
    
    ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
34. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
    
    Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
35. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
36. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
37. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50
38. Исследование шумовых характеристик вертикально-излучающих лазеров с ромбовидной токовой апертурой для применения в компактном квантовом цезиевом магнитометре
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  3–8
39. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
40. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом
    
    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
41. Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
    
    ЖТФ, 90:12 (2020),  2139–2142
42. Динамика спектров квантово-каскадных лазеров, генерирующих частотные гребенки в длинноволновом инфракрасном диапазоне
    
    ЖТФ, 90:8 (2020),  1333–1336
43. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров
    
    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1165–1170
44. Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров
    
    Оптика и спектроскопия, 128:6 (2020),  696–700
45. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
46. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
47. Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  51–54
48. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
49. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
50. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 $\mu$m для реализации непрерывного режима генерации
    
    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  35–38
51. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
52. Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5–4.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  989–994
53. Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  720–721
54. Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  141–142
55. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
    
    Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
56. Генерация квантово-каскадного лазера с тонкой верхней обкладкой
    
    Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  278–282
57. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин
    
    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
58. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
59. Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  365–369
60. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения
    
    Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  21–23
61. Генерация частотных гребенок квантово-каскадными лазерами спектрального диапазона 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  18–21
62. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
63. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
64. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33
65. Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1158–1162
66. РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  801–803
67. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
68. Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 $\mu$m
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2251–2254
69. Динамика включения квантово-каскадных лазеров с длиной волны генерации 8100 nm при комнатной температуре
    
    ЖТФ, 88:11 (2018),  1708–1710
70. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m
    
    ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
71. Двухчастотная генерация в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 8 $\mu$m
    
    Оптика и спектроскопия, 125:3 (2018),  387–390
72. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе
    
    Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018),  229–233
73. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1034–1037
74. Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  954–957
75. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  597–602
76. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям
    
    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
77. Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75
78. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированные методом спекания
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  59–66
79. Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1176–1181
80. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  64–71
81. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
82. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324
83. Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1208–1212
84. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  624–627
85. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1574–1577
86. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1569–1573
87. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440–1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1434–1438
88. Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  81–87
89. Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1542–1553
90. Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  833–837
91. Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  560–565
92. Пространственно-одномодовый полупроводниковый лазер на InAs/InGaAs-квантовых точках с дифракционным фильтром оптических мод
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1401–1406


93. Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ
    
    УФН, 194:1 (2024),  98–105