RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Гладышев Андрей Геннадьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние морфологии подложек InP на шероховатость интерфейсов и дефектность гетероструктур квантово-каскадных лазеров

    Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  439–444
  2. Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  23–28
  3. Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  13–15
  4. Перестраиваемый квантово-каскадный лазер для определения концентрации метана

    Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  66–70
  5. Одночастотная генерация на радиальных модах в квантово-каскадных лазерах на основе селективного кольцевого резонатора

    Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  52–56
  6. Влияние длительности импульса накачки и фактора заполнения на мощностные характеристики квантово-каскадных лазеров

    Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  54–58
  7. Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)

    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  529–532
  8. Мощный перестраиваемый квантово-каскадный лазер

    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  65–68
  9. Квантово-каскадные лазеры на основе активной области с малой чувствительностью к флуктуации толщины слоев

    Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  18–21
  10. Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона

    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  23–27
  11. Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями

    Квантовая электроника, 54:2 (2024),  100–103
  12. Особенности эпитаксиального роста методом МПЭ тонких сильно напряженных слоев InGaAs/InAlAs на подложках InP

    ЖТФ, 93:8 (2023),  1166–1172
  13. Исследование фотолюминесценции в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками спектрального диапазона 1100 нм

    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  63–70
  14. Генерация случайных последовательностей за счет переключения поперечных мод в квантовом каскадном лазере

    Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  35–38
  15. Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм

    Квантовая электроника, 53:8 (2023),  641–644
  16. Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм

    Квантовая электроника, 53:5 (2023),  370–373
  17. Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1002–1010
  18. Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  933–939
  19. Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  908–914
  20. Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм

    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  814–823
  21. Исследование пространственных характеристик излучения поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с кольцевым резонатором

    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  601–606
  22. Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  357–362
  23. Особенности одночастотной генерации в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 7.5–8.0 $\mu$m с малой длиной резонатора

    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  7–10
  24. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин

    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
  25. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm

    ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
  26. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

    Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
  27. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
  28. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором

    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
  29. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50
  30. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs

    Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
  31. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом

    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
  32. Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

    ЖТФ, 90:12 (2020),  2139–2142
  33. Динамика спектров квантово-каскадных лазеров, генерирующих частотные гребенки в длинноволновом инфракрасном диапазоне

    ЖТФ, 90:8 (2020),  1333–1336
  34. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров

    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1165–1170
  35. Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров

    Оптика и спектроскопия, 128:6 (2020),  696–700
  36. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
  37. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания

    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
  38. Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  51–54
  39. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции

    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
  40. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs

    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
  41. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 $\mu$m для реализации непрерывного режима генерации

    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  35–38
  42. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления

    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
  43. Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5–4.6 мкм

    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  989–994
  44. Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм

    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  720–721
  45. Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре

    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  141–142
  46. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs

    Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
  47. Генерация квантово-каскадного лазера с тонкой верхней обкладкой

    Оптика и спектроскопия, 127:2 (2019),  278–282
  48. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин

    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
  49. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
  50. Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  365–369
  51. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения

    Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  21–23
  52. Генерация частотных гребенок квантово-каскадными лазерами спектрального диапазона 8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  18–21
  53. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
  54. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур

    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
  55. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33
  56. Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм

    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1158–1162
  57. РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм

    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  801–803
  58. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов

    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
  59. Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 $\mu$m

    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2251–2254
  60. Динамика включения квантово-каскадных лазеров с длиной волны генерации 8100 nm при комнатной температуре

    ЖТФ, 88:11 (2018),  1708–1710
  61. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m

    ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
  62. Двухчастотная генерация в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 8 $\mu$m

    Оптика и спектроскопия, 125:3 (2018),  387–390
  63. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе

    Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018),  229–233
  64. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1034–1037
  65. Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  954–957
  66. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  597–602
  67. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированные методом спекания

    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  59–66
  68. Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1176–1181
  69. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  64–71
  70. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
  71. Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1208–1212
  72. Прецизионная калибровка толщин и состава слоев эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs с вертикальным оптическим микрорезонатором

    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  22–30
  73. Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем

    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  985–989
  74. Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1405–1409
  75. Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  836–839
  76. Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs

    Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  9–15
  77. Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  950–954

  78. Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ

    УФН, 194:1 (2024),  98–105

© МИАН, 2026