Блохин Алексей Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Амплитудные шумы одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 89Х nm с внутрирезонаторными контактами
   
   Оптика и спектроскопия, 133:8 (2025),  847–852
2. Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов
   
   ЖТФ, 94:6 (2024),  888–893
3. Фазовые шумы одномодовых вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1230–1232
4. Ширина линии излучения вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1226–1229
5. Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1486–1489
6. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор вертикально излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m
   
   Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1095–1100
7. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  43–46
8. Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  592–598
9. Постростовые технологии каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе A$^3$B$^5$-гетероструктур
   
   ЖТФ, 92:1 (2022),  108–112
10. Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  814–823
11. Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 48:24 (2022),  42–46
12. Памяти Е.М. Круглова и Филимонова В.В. Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазонах длин волн 114–170 и 210–1100 nm
    
    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  3–6
13. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
    
    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
14. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
    
    ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
15. Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1086–1090
16. Исследование шумовых характеристик вертикально-излучающих лазеров с ромбовидной токовой апертурой для применения в компактном квантовом цезиевом магнитометре
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  3–8
17. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
18. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом
    
    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
19. Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38
20. Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами
    
    Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  23–27
21. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
22. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
23. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
24. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
25. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин
    
    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
26. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
27. Исследование формирования антиотражающего покрытия каскадных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  15–17
28. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
29. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104
30. Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  85–94
31. Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75
32. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697
33. Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413
34. Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1208–1212
35. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65
36. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
37. Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  89–93
38. Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  86–94
39. Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1697–1703
40. Прецизионная калибровка толщин и состава слоев эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs с вертикальным оптическим микрорезонатором
    
    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  22–30