Блохин Сергей Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Амплитудные шумы одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 89Х nm с внутрирезонаторными контактами
   
   Оптика и спектроскопия, 133:8 (2025),  847–852
2. Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  58–62
3. Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  41–44
4. Фазовые шумы одномодовых вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1230–1232
5. Ширина линии излучения вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1226–1229
6. Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  318–325
7. Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  48–52
8. Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1486–1489
9. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор вертикально излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m
   
   Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1095–1100
10. Исследование $p$–$i$–$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек
    
    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206
11. Исследование фотолюминесценции в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками спектрального диапазона 1100 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  63–70
12. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
    
    Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  43–46
13. Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик
    
    Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  592–598
14. Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  814–823
15. Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 48:24 (2022),  42–46
16. Сверхвысокочастотные диоды Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов GaN
    
    Письма в ЖТФ, 48:15 (2022),  22–25
17. Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  32–35
18. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
    
    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
19. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
    
    ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
20. Исследование шумовых характеристик вертикально-излучающих лазеров с ромбовидной токовой апертурой для применения в компактном квантовом цезиевом магнитометре
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  3–8
21. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
22. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом
    
    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
23. Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38
24. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
    
    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
25. Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами
    
    Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  23–27
26. Исследование аномальной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 nm с двойной оксидной токовой апертурой при большой величине спектральной расстройки
    
    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1151–1159
27. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
28. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
29. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
30. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
31. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин
    
    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
32. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
33. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
34. InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33
35. Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  51–54
36. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
37. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
38. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе
    
    Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018),  229–233
39. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104
40. Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  16–23
41. Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  85–94
42. Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75
43. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированные методом спекания
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  59–66
44. Высокоскоростные полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для оптических систем передачи данных (Обзор)
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  7–43
45. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697
46. Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488
47. Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1176–1181
48. Обострение оптических импульсов в вертикально-излучающих лазерах с активной областью на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  17–23
49. Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413
50. Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1208–1212
51. Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397
52. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65
53. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
54. Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  89–93
55. Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1697–1703
56. Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  81–87
57. Прецизионная калибровка толщин и состава слоев эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs с вертикальным оптическим микрорезонатором
    
    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  22–30
58. Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1542–1553
59. Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  985–989
60. Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  833–837
61. Высокочастотные электрические свойства вертикально-излучающего лазера с интегрированным электрооптическим модулятором
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  684–689
62. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91
63. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  43–49
64. Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой
    
    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  10–16
65. Влияние параметров AlGaAs–(AlGa)$_x$O$_y$ пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  992–995
66. Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  836–839
67. Быстродействие вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  688–693
68. Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  9–15
69. Анализ механизмов эмиссии носителей в $p$–$i$–$n$-структурах с квантовыми точками In(Ga)As
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1352–1356
70. Оптическая анизотропия InAs квантовых точек
    
    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  24–30