Гусева Юлия Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  107–113
2. Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства
   
   Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1112–1117
3. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  43–46
4. Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  592–598
5. Источник неразличимых одиночных фотонов на основе эпитаксиальных InAs/GaAs квантовых точек для интеграции в схемы квантовых вычислений
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:4 (2021),  248–255
6. Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  147–151
7. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
8. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
9. Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  51–54
10. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
11. Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75
12. Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488
13. Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413
14. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65