Трошков Сергей Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Зарядовые состояния одиночных квантовых точек в микрорезонаторной $p{-}n{-}p$ гетероструктуре со встроенной кулоновской блокадой
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:5 (2025),  386–392
2. Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  189–193
3. Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  16–19
4. Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  592–598
5. Источник неразличимых одиночных фотонов на основе эпитаксиальных InAs/GaAs квантовых точек для интеграции в схемы квантовых вычислений
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:4 (2021),  248–255
6. Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38
7. Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста
   
   ЖТФ, 90:6 (2020),  997–1000
8. Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  147–151
9. InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками
   
   Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33
10. Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1663–1667
11. Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515
12. Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур
    
    ЖТФ, 87:7 (2017),  1066–1070
13. Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1176–1181
14. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  101–104
15. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428
16. Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413
17. Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397
18. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
19. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65
20. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
21. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
22. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93
23. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN
    
    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1850–1858
24. Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  688–692
25. Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  74–81
26. Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  86–94
27. Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  17–23
28. Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах
    
    Физика твердого тела, 55:4 (2013),  645–649
29. Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  985–989
30. Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  414–419
31. Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев Al$_x$In$_{1-x}$Sb из спектров отражения
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  258–263
32. Высокотемпературная лазерная генерация в микрокольцевом лазере с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1063–1066
33. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  90–95
34. Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28
35. Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой
    
    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  10–16
36. Особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах
    
    Письма в ЖТФ, 37:15 (2011),  95–102
37. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  981–985
38. Интерференция излучения дисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 36:13 (2010),  89–95
39. Применение маски As$_{2}$S$_{3}$/органический фоторезист для реактивного ионного травления полупроводников A(III)B(V)
    
    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  85–90
40. Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1835–1840
41. Двумерный электронный газ в изотипном гетеропереходе
    
    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  638–646
42. Теория квазибаллистического транспорта электронов в биполярном гетеротранзисторе с сильно легированной субмикронной базой
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  508–516
43. Диффузия горячих фотоэлектронов в металл — эффективный механизм потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  176–179
44. Длинноволновый край спектральной зависимости фототока в гетеро-$p{-}n$-переходе
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2142–2148
45. Механизм $S$-образной ВАХ в многослойной изотипной GaAs$-$AlGaAs-гетероструктуре
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  494–499
46. Расчет энергетических уровней двумерного электронного газа в изотипном гетеропереходе
    
    Письма в ЖТФ, 13:1 (1987),  14–19
47. Теория $S$-образной вольтамперной характеристики в многослойной изотипной $n^{+}{-}n$-гетероструктуре
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1298–1301
48. Теория фотоэлектрического преобразователя с градиентом запрещенной зоны в области пространственного заряда гетеро-$p{-}n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1262–1270
49. Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных $p{-}n$-переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1589–1596
50. Гетерофотоэлементы с низким значением обратного тока насыщения
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  276–281
51. Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания $p{-}n$ перехода
    
    ЖТФ, 53:8 (1983),  1658–1660