Климко Григорий Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптическая спектроскопия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в диапазоне $\sim$ 1.55 мкм
   
   Письма в ЖЭТФ, 123:1 (2026),  3–12
2. Зарядовые состояния одиночных квантовых точек в микрорезонаторной $p{-}n{-}p$ гетероструктуре со встроенной кулоновской блокадой
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:5 (2025),  386–392
3. Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  189–193
4. Метаморфные гетероструктуры с квантовыми точками InAs/InGaAs для генерации одиночных фотонов в спектральном С-диапазоне
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:1 (2025),  37–43
5. Молекулярно-пучковая эпитаксия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в телекоммуникационном диапазоне длин волн
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:9 (2024),  694–700
6. Субнаносекундные AlGaAs/GaAs-фотодетекторы с брэгговским отражателем
   
   Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  38–41
7. Люминесценция в $p$–$i$–$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  663–673
8. Источник неразличимых одиночных фотонов на основе эпитаксиальных InAs/GaAs квантовых точек для интеграции в схемы квантовых вычислений
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:4 (2021),  248–255
9. Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291
10. Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  147–151
11. Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs
    
    Физика твердого тела, 60:4 (2018),  687–690
12. Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  480
13. Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  33–41
14. Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  40–48
15. Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1024–1030
16. Оптические исследования вертикального транспорта носителей в переменно-напряженной сверхрешетке ZnS$_{0.4}$Se$_{0.6}$/CdSe
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  364–369
17. Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  82–88
18. Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/ Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  36–43
19. Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  32–35
20. Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1441–1445
21. Статистический анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  921–926