Фадеев Михаил Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке
   
   Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  9–13
2. Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  608–613
3. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
4. Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  7–10
5. Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  196–201
6. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316
7. Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  421–425
8. Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  472–478
9. Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  922–926
10. Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  455–459
11. Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  51–54
12. Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173
13. Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168
14. Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932
15. Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019),  679–684
16. Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019),  91–97
17. Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181
18. Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd_xHg_1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558
19. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267
20. Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1257–1262
21. Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464
22. Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1616–1620
23. Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1713–1719
24. Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696
25. Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684
26. Tris(nitroxymethyl)methylamine and tris(nitroxymethyl)nitrosomethane
    
    Mendeleev Commun., 7:1 (1997),  40–41