RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Дашевский Зиновий Моисеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Разработка волноводного сверхпроводникового детектора с разрешением по числу фотонов

    ЖТФ, 94:7 (2024),  1158–1165
  2. Разработка многослойных термоэлектрических модулей на основе полупроводника теллурида висмута

    Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  242–247
  3. Разработка технологии высокопрочных термоэлектриков диаметром до 35 мм на основе поликристаллов Bi$_2$Te$_3$ методом горячей экструзии

    Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  17–21
  4. Термоэлектрические свойства пленок $p$-Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_3$ на гибкой подложке

    Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  7–12
  5. Photovoltaic and thermal effects at PbTe $p$$n$ junction under CO$_2$ laser irradiation

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  834
  6. High perfection bulk and film thermoelectrics based on PbTe doped by In

    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  499
  7. Новое направление применения термоэлектрических преобразователей энергии

    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  875–878
  8. Криогенный термоэлектрический модуль для рабочего интервала температур ниже 90 K

    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  761–764
  9. Эффективные кристаллы Bi–Sb для термоэлектрического охлаждения при температурах $T\lesssim$180 K

    Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  693–697
  10. Фотопроводимость пленок PbTe(In) с варьируемой микроструктурой

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1533–1537
  11. Новые материалы для термоэлектрических источников

    Докл. РАН, 324:3 (1992),  567–570
  12. Исследование термоэдс в полупроводниковых структурах халькогенидов свинца при облучении короткими лазерными импульсами

    Докл. РАН, 323:3 (1992),  475–479
  13. Исследование эффектов, возникающих в $\mathrm{PbTe}$ при ионной имплантации большими дозами

    Докл. АН СССР, 315:3 (1990),  600–603
  14. Влияние радиационных дефектов, вызванных ионной имплантацией, на электронные свойства $\mathrm{PbTe}$

    Докл. АН СССР, 305:4 (1989),  844–847
  15. Электрическая активность кислорода в теллуриде свинца

    Докл. АН СССР, 301:1 (1988),  89–91
  16. Термоэдс полупроводниковой $p-n-p$-гетероструктуры

    Докл. АН СССР, 299:2 (1988),  355–357
  17. Влияние кислорода на барьерные эффекты в блочных монокристаллических пленках $p$-РbТе

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1118–1120
  18. Электрофизические и оптические свойства гетеропереходов $n$-$\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Te}(\mathrm{In})$–$p$-$\mathrm{PbTe}$

    Докл. АН СССР, 256:3 (1981),  580–582
  19. Размерные эффекты в монокристаллических пленках $\mathrm{PbTe}$

    Докл. АН СССР, 250:1 (1980),  82–85


© МИАН, 2026