Шульпина Ирэн Леонидовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Необычные дефекты в CVD-алмазе
   
   Физика твердого тела, 65:11 (2023),  1874–1881
2. Cекционные методы рентгеновской дифракционной топографии (обзор)
   
   ЖТФ, 92:10 (2022),  1475–1496
3. Формирование и структура термомиграционных кремниевых каналов, легированных Ga
   
   ЖТФ, 91:3 (2021),  467–474
4. Структурное совершенство и состав легированных галлием термомиграционных слоев кремния
   
   Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  27–30
5. Результаты экспериментов по кристаллизации твердого раствора Ge–Si–Sb на космическом комплексе “Союз–Аполлон” в условиях микрогравитации
   
   Физика твердого тела, 61:4 (2019),  664–670
6. Блочность и остаточные напряжения в трубчатых монокристаллах сапфира, выращенных способом Степанова
   
   Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2190–2196
7. Оценка качества GaAs-подложек, используемых для изготовления силовых полупроводниковых приборов
   
   ЖТФ, 84:10 (2014),  149–152
8. Некоторые результаты выращивания кристаллов полупроводников в условиях микрогравитации (к 50-летию полета Ю.А. Гагарина в космос)
   
   Физика твердого тела, 54:7 (2012),  1264–1268
9. Методы рентгеновской дифракционной диагностики сильнолегированных монокристаллов полупроводников
   
   ЖТФ, 80:4 (2010),  105–114
10. Определение природы источников дислокационных петель методами рентгеновской дифракционной топографии
    
    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  708–713
11. Корреляция неоднородностей сверхпроводящих свойств с вариацией параметра решетки $c$ в бездвойниковых монокристаллах системы YBa$_{2}$Cu$_{3-z}$Al$_{y}$O$_{6+x}$
    
    Физика твердого тела, 33:10 (1991),  2896–2906
12. Движение дислокаций в кристаллах карбида кремния, вводимых механическими повреждениями поверхности
    
    Физика твердого тела, 32:8 (1990),  2311–2315
13. Новый тип интерференционных полос на брэгговских секционных топограммах
    
    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1608–1611
14. Аномальная наблюдаемость рентгенотопографического контраста сеток дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных структурах
    
    ЖТФ, 57:6 (1987),  1114–1120
15. Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов
    
    ЖТФ, 57:2 (1987),  316–321
16. Дислокационная структура и вольт-амперные характеристики диодных плавных гетеросистем $n-In\,As/p-In\,As_{1-x}\,P_{x}$, полученных методом электрожидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1134–1139
17. Возникновение структурных нарушений в эпитаксиальных слоях карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  641–645
18. Дислокационная активность микродефектов в монокристаллах кремния
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3192–3194
19. Волновые пакеты и изображения микродефектов в двухкристальной рентгеновской топографии
    
    Физика твердого тела, 28:8 (1986),  2343–2351
20. Рентгенотопографическое определение знаков дислокаций несоответствия
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1052–1057
21. Выявление и исследование микродефектов в кремнии методами рентгеновской топографии
    
    Физика твердого тела, 28:2 (1986),  440–446
22. 60$^{\circ}$ дислокации несоответствия в гетероструктурах типа In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs (001)
    
    Физика твердого тела, 27:10 (1985),  2960–2964
23. Плотность дислокаций и параметры $p{-}n$ структур на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2280–2282
24. Методика исследования микродефектов в монокристаллах кремния на рентгеновском топографическом спектрометре ДТС-1
    
    ЖТФ, 53:9 (1983),  1750–1753
25. Решение проблемы расчета рентгеновских проекционных топограмм
    
    Докл. АН СССР, 240:4 (1978),  836–838