Хабибуллин Рустам Анварович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Коллимирующая оптическая система из полиметилпентена для квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  44–47
2. Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  27–30
3. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
4. Неоднородное уширение энергетических уровней при флуктуации концентрации легирования в квантово-каскадных лазерах
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  79–83
5. Повышение эффективности лазерного возбуждения оптоэлектронного терагерцевого источника при помощи массива ближнепольных сапфировых микролинз
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  46–48
6. Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах
   
   Оптика и спектроскопия, 132:1 (2024),  105–110
7. Анализ ПЭМ-изображения квантово-каскадной лазерной гетероструктуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  179–184
8. Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  107–113
9. Дисперсия двойного металлического волновода квантово-каскадного лазера в области оптических фононов GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 50:15 (2024),  3–5
10. Снижение шума фотопроводящей терагерцевой антенны-детектора на основе упругонапряженной сверхрешеточной InAlAs/InGaAs-гетероструктуры
    
    Письма в ЖТФ, 50:8 (2024),  12–14
11. Оптико-терагерцевые преобразователи: современное состояние и новые возможности для мультиспектральной визуализации
    
    УФН, 194:1 (2024),  2–22
12. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
    
    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485
13. Активная копланарная линия передач на основе двухбарьерных GaAs/AlAs резонансно-туннельных диодов
    
    Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  14–16
14. Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  705–710
15. Локализация энергии лазерного излучения в оптико-терагерцевом преобразователе ультракоротких ИК-импульсов при помощи профилированных сапфировых волокон
    
    Письма в ЖТФ, 48:23 (2022),  11–13
16. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
17. Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах
    
    Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021),  741–746
18. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
19. Моделирование эффективности электрической накачки квантово-каскадного терагерцевого лазера при неоднородном питании током
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  164–168
20. Излучательная эффективность терагерцовых антенн с традиционной топологией и металлической метаповерхностью: сравнительный анализ
    
    Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1012–1019
21. Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905
22. Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  10–14
23. Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации
    
    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  663–669
24. Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний
    
    Квантовая электроника, 49:10 (2019),  913–918
25. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
26. Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  723–728
27. Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  146–157
28. Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag
    
    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1005–1008
29. Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1267–1272
30. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  792–797
31. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546
32. Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  535–539
33. Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
    
    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  48–54
34. Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  9–14
35. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
36. Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1434–1438
37. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
38. Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  185–190
39. Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой In$_x$Ga$_{1-x}$As с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1254–1257
40. Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  932–935
41. MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  73–76
42. Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1215–1220
43. Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  500–506
44. Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1373–1378
45. Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  666–671