Пономарев Дмитрий Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
2. Особенности формирования мезаструктуры методом электронно-лучевой литографии в полупроводниковых соединениях на основе GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  42–44
3. Повышение эффективности лазерного возбуждения оптоэлектронного терагерцевого источника при помощи массива ближнепольных сапфировых микролинз
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  46–48
4. Полусферическая рутиловая линза для ТГц микроскопии на основе эффекта твердотельной иммерсии со cверхразрешением
   
   Оптика и спектроскопия, 132:4 (2024),  393–401
5. Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах
   
   Оптика и спектроскопия, 132:1 (2024),  105–110
6. Дисперсия двойного металлического волновода квантово-каскадного лазера в области оптических фононов GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 50:15 (2024),  3–5
7. Снижение шума фотопроводящей терагерцевой антенны-детектора на основе упругонапряженной сверхрешеточной InAlAs/InGaAs-гетероструктуры
   
   Письма в ЖТФ, 50:8 (2024),  12–14
8. Оптико-терагерцевые преобразователи: современное состояние и новые возможности для мультиспектральной визуализации
   
   УФН, 194:1 (2024),  2–22
9. Активная копланарная линия передач на основе двухбарьерных GaAs/AlAs резонансно-туннельных диодов
   
   Письма в ЖТФ, 49:2 (2023),  14–16
10. Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  705–710
11. Локализация энергии лазерного излучения в оптико-терагерцевом преобразователе ультракоротких ИК-импульсов при помощи профилированных сапфировых волокон
    
    Письма в ЖТФ, 48:23 (2022),  11–13
12. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
13. Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах
    
    Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021),  741–746
14. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
15. Моделирование эффективности электрической накачки квантово-каскадного терагерцевого лазера при неоднородном питании током
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  164–168
16. Излучательная эффективность терагерцовых антенн с традиционной топологией и металлической метаповерхностью: сравнительный анализ
    
    Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1012–1019
17. Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  10–14
18. Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации
    
    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  663–669
19. Терагерцовый микроскоп на основе эффекта твердотельной иммерсии для визуализации биологических тканей
    
    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  642–649
20. Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний
    
    Квантовая электроника, 49:10 (2019),  913–918
21. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
22. Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  723–728
23. Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  146–157
24. Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag
    
    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1005–1008
25. Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1267–1272
26. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546
27. Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  535–539
28. Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
    
    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  48–54
29. Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  9–14
30. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
31. Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  185–190
32. Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой In$_x$Ga$_{1-x}$As с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1254–1257
33. Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  932–935
34. MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  73–76
35. Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1215–1220
36. Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  500–506
37. Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1373–1378
38. Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  666–671


39. Перспективные материалы оптоэлектроники, лазерной физики и фотоники
    
    Оптика и спектроскопия, 133:3 (2025),  219–220
40. Новые оптические материалы
    
    Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  867–868