Васильевский Иван Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние температуры роста на структурное совершенство пленок CdTe(111), синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  141–149
2. Поправка к статье: “Изучение адсорбции спайкового белка вируса SARS-CoV-2 методами колебательной спектроскопии с применением терагерцевых метаматериалов” («Квантовая электроника», 2022, т. 52, № 1, с.2–12)
   
   Квантовая электроника, 52:3 (2022),  288
3. Изучение адсорбции спайкового белка вируса SARS-CoV-2 методами колебательной спектроскопии с применением терагерцевых метаматериалов
   
   Квантовая электроника, 52:1 (2022),  2–12
4. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
5. Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1004–1011
6. Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  359–364
7. Особенности импульсного лазерного отжига пленок ВС$_{3}$ на сапфировой подложке
   
   Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  26–29
8. Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1447–1454
9. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
10. Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  472
11. Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  201–206
12. Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне $\delta$-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  120–127
13. Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем $\delta$-легировании
    
    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  34–41
14. Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  11–17
15. Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag
    
    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1005–1008
16. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  792–797
17. Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  529–534
18. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1669–1674
19. Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1570–1575
20. Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  567–573
21. Наноструктуры Ge/GeSn с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1612–1618
22. Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1243–1253
23. Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  652–657
24. Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  241–248
25. Гетероструктуры Ge/GeSn, выращенные на Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  128–133
26. Использование реакторных нейтронов для исследования радиационной стойкости полупроводниковых материалов группы III–V и сенсоров
    
    Физика твердого тела, 56:1 (2014),  156–159
27. Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1660–1665
28. Технология и электронные свойства PHEMT-квантовых ям AlGaAs/In$_{y(z)}$Ga$_{1-y(z)}$As/GaAs с переменным профилем состава
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1258–1264
29. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  909–916
30. Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  67–72
31. Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1215–1220
32. Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  990–996
33. Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  927–934
34. Исследование влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  510–515
35. Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  348–352
36. Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  500–506
37. Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1373–1378
38. Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1214–1218
39. Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76–100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1203–1208
40. Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  666–671
41. Транспорт электронов в квантовой яме In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As с $\delta$-легированным Si барьером в сильных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  928–933