Кулагина Марина Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  27–30
2. Зарядовые состояния одиночных квантовых точек в микрорезонаторной $p{-}n{-}p$ гетероструктуре со встроенной кулоновской блокадой
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:5 (2025),  386–392
3. Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  189–193
4. Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  58–62
5. Генерация замкнутой моды в мощных суперлюминесцентных диодах со скользящим полосковым волноводом
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  18–21
6. Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  41–44
7. Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010–1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  313–317
8. Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  107–113
9. Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  16–19
10. Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью
    
    Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  23–27
11. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
    
    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485
12. Определение температуры и теплового сопротивления полудискового лазерного диода методом измерения импульсных вольт-амперных характеристик
    
    Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  767–772
13. Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  301–307
14. Исследование $p$–$i$–$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек
    
    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206
15. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
    
    Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  43–46
16. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  40–43
17. Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  890–894
18. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
19. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
20. Исследование шумовых характеристик вертикально-излучающих лазеров с ромбовидной токовой апертурой для применения в компактном квантовом цезиевом магнитометре
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  3–8
21. Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38
22. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды
    
    Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  30–33
23. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
24. Предельная температура генерации микродисковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574
25. Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  212–216
26. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
27. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10
28. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
29. Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  147–151
30. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
31. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
32. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
33. InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33
34. Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  51–54
35. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
36. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
37. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
38. Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой
    
    Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205
39. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
40. Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  16–23
41. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51
42. Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  85–94
43. Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75
44. Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур
    
    ЖТФ, 87:7 (2017),  1066–1070
45. Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488
46. Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  699–703
47. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72
48. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428
49. Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413
50. Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397
51. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65
52. Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1473–1477
53. Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  688–692
54. Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  74–81
55. Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  86–94
56. Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1396–1399
57. Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  985–989
58. Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  70–77
59. Высокотемпературная лазерная генерация в микрокольцевом лазере с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1063–1066
60. Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28
61. Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1405–1409
62. Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  836–839
63. Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  9–15
64. Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  684–687
65. Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As с изовалентным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  240–245