Можаров Алексей Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование влияния растекания тока на особенности работы микросветодиодов GaP/GaPNAs/GaP на Si
   
   Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  11–15
2. Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре
   
   Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  32–35
3. Моделирование генерации второй гармоники в наночастицах Si
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  464–466
4. Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства
   
   Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1112–1117
5. Пространственно-селективная эпитаксия квантовых точек InP/GaInP$_2$ из металлоорганических соединений
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  620–623
6. Гибкие солнечные элементы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с улучшенными массогабаритными характеристиками
   
   Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  6–9
7. Сверхвысокочастотные диоды Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов GaN
   
   Письма в ЖТФ, 48:15 (2022),  22–25
8. Формирование наноструктур Au/Si методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе
   
   Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  15–18
9. Формирование люминесцентных структур при облучении тонких пленок a-Si:H-Er лазерными импульсами фемтосекундной длительности
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:11 (2021),  749–755
10. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
    
    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
11. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
12. Особенности магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля для применения в составе перовскитных солнечных элементов
    
    ЖТФ, 89:3 (2019),  460–464
13. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
14. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
15. Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой
    
    Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205
16. Annealing atmosphere influence on contact resistivity of ohmic Pd/Ge/Au contact to n-GaAs
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018),  789–792
17. Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  475
18. Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  111–115
19. Особенности экспериментальных спектров лазерной плазмы с плотной Xe газоструйной мишенью в дальнем ультрафиолетовом диапазоне
    
    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  10–17
20. Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1543–1547
21. Моделирование характеристик двухпереходных солнечных элементов на основе гетероструктур ZnSiP$_2$ на кремниевой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  15–23
22. Ударные волны в газоструйной мишени лазерно-плазменного источника коротковолнового излучения при двухимпульсной схеме возбуждения плазмы
    
    Письма в ЖТФ, 40:21 (2014),  97–103
23. Воздействие УФ предыонизационного импульса на выход коротковолнового излучения из лазерно-плазменного источника с Xe газоструйной мишенью
    
    Письма в ЖТФ, 40:15 (2014),  38–44
24. Динамика начальной ионизации в лазерной плазме при низких плотностях газовой мишени
    
    ЖТФ, 83:12 (2013),  80–86
25. Динамика ионизации в лазерной плазме на газовой мишени при низких давлениях
    
    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  1–8