Банщиков Александр Гаврилович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Воспроизводимость электрофизических характеристик транзисторных структур на основе гетеросистемы графен–CaF$_2$–Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  272–277
2. Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика
   
   Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  27–30
3. Пленки фторида кальция толщиной 2–10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  888–892
4. Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  859–864
5. Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  844–849
6. Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si)
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  150–157
7. Эпитаксиальные слои фторида никеля на Si(111): процессы роста и стабилизация орторомбической фазы
   
   Физика твердого тела, 57:8 (2015),  1610–1615
8. Стабилизация орторомбической фазы NiF$_2$ в эпитаксиальных гетероструктурах на подложках CaF$_2$/Si(111)
   
   Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  61–68
9. Обнаружение проникновения молекул D$_{2}$O в поверхностный слой кристаллов LiF при их деформации в среде тяжелой воды
   
   Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2618–2623
10. О температурной зависимости ионного распыления меди и цинка
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  540–541
11. Влияние одноосного сжатия на поверхностные поляритоны в титанате стронция
    
    Докл. АН СССР, 224:6 (1975),  1297–1299