|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Токоперенос в системе зонд туннельного микроскопа–туннельный зазор–слой квантовых точек полупроводников соединений А$^3$B$^5$ и A$^2$B$^6$ при освещении
ЖТФ, 95:5 (2025), 961–966
-
Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек узкозонных полупроводников
Письма в ЖТФ, 48:16 (2022), 10–13
-
Analysis of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with temperature changes
Наносистемы: физика, химия, математика, 12:1 (2021), 113–117
-
Одноэлектронный эмиссионно-инжекционный транспорт в микроструктуре с коллоидными квантовыми точками узкозонных полупроводников
Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 319–325
-
Исследование электрофизических свойств квантовых точек антимонида индия: значение формы
Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 237–240
-
Термоавтоэлектронная эмиссия из квантовых точек антимонида индия
Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 44–46
-
Исследование электрофизических свойств коллоидных квантовых точек антимонида индия
Письма в ЖТФ, 46:7 (2020), 36–38
-
Methodology of analyzing the InSb semiconductor quantum dots parameters
Наносистемы: физика, химия, математика, 10:6 (2019), 720–724
-
Особенности эмиссии в нанозёренной структуре полупроводников
Междунар. науч.-исслед. журн., 2018, № 8(74), 26–31
-
Methodology of analyzing the CdSe semiconductor quantum dots parameters
Наносистемы: физика, химия, математика, 9:4 (2018), 464–467
-
Исследование свойств квантовых точек полупроводников A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 603–607
-
Особенности свойств полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ в мультизеренной наноструктуре
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 83–88
-
Features of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots
Наносистемы: физика, химия, математика, 8:5 (2017), 596–599
-
Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводника CdSe
Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 51–58
-
Проявление размерного квантования на выступах шероховатой поверхности полупроводников A$^3$B$^5$
Письма в ЖТФ, 41:21 (2015), 88–94
-
Особенности автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности антимонида индия
Письма в ЖТФ, 41:12 (2015), 8–14
-
Исследование фотоэлектрических свойств пленок магнитного полупроводника Eu$_{1-x}$Sm$_{x}$O
Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1837–1841
© , 2026