Нагалюк Сергей Степанович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Ядерное квадрупольное взаимодействие отрицательно заряженной вакансии бора с ближними и дальними ядерными магнитными моментами азота в гексагональном нитриде бора
   
   Физика твердого тела, 67:11 (2025),  2151–2157
2. NV$^-$-центры в алмазе и карбиде кремния как основа мазеров, работающих при комнатной температуре
   
   Физика твердого тела, 67:9 (2025),  1647–1653
3. Высокотемпературная диффузия бериллия в AlN как направление решения проблемы легирования $p$-типа и снижения интенсивности оптического поглощения
   
   Физика твердого тела, 67:6 (2025),  940–945
4. Изотопически модифицированный карбид кремния: полупроводниковая платформа для квантовых технологий
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  114–120
5. Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  306–309
6. Воздействие синхротронного излучения на теплопроводность AlN
   
   Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1848–1853
7. Создание оптически адресуемых спиновых центров в гексагональном нитриде бора путем облучения протонами
   
   Физика твердого тела, 64:8 (2022),  1033–1037
8. Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022),  810–815
9. Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1011–1015
10. The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth
    
    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  527
11. Высокотемпературная диффузия акцепторной примеси Ве в AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  275–278
12. Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC
    
    Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021),  323–327
13. Возникновение зеленой окраски в кристаллах AlN, выращенных на затравках SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  513–517
14. Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  224–227
15. Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)
    
    УФН, 189:8 (2019),  803–848
16. Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН
    
    ЖТФ, 87:7 (2017),  1104–1106
17. Спектры поглощения объемных кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er$^{3+}$
    
    Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  91–96
18. Структурное совершенство кристаллов SiC, выращенных на профилированных затравках методом сублимации
    
    Письма в ЖТФ, 37:21 (2011),  25–32