Иванов Павел Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста
   
   ЖТФ, 90:6 (2020),  997–1000
2. О защите высоковольтных мезаструктурных 4$H$-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  207–211
3. Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  97–102
4. Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608
5. Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452
6. Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4$H$-SiC диодов с помощью протонного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  862–864
7. Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4$H$-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  407–410
8. Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)
   
   УФН, 189:8 (2019),  803–848
9. Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой $n$- и $p$-типа)
   
   ЖТФ, 88:1 (2018),  89–92
10. О пространственной локализации свободных электронов в $n$-канальных МОП-транзисторах на основе 4$H$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  105–109
11. Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения $n$-SiC высокоэнергетическими ионами аргона
    
    Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  11–16
12. Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4$H$-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  3–8
13. Переходной процесс выключения 4$H$-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1243–1248
14. Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4$H$-SiC $p^{+}$–$n_{0}$–$n^{+}$-диодов в режиме лавинного пробоя
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  390–394
15. Параметры импульсных генераторов с ДДРВ на основе 4H-SiC: влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов
    
    ЖТФ, 86:2 (2016),  85–88
16. Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4$H$-SiC вдоль оси $c$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  900–904
17. Параметры карбид-кремниевых диодных обострителей импульсов пикосекундного диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  87–94
18. Высоковольтные дрейфовые диоды с резким восстановлением на основе 4H-SiC: теоретическая оценка предельных параметров
    
    ЖТФ, 85:6 (2015),  111–117
19. Динамические характеристики дрейфовых диодов с резким восстановлением на основе 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1558–1562
20. Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1061–1064
21. Влияние ударной ионизации примесей на динамические характеристики $p^+$–$n$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC при низкой температуре (77 K)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  999–1002
22. Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  951–955
23. Переходные процессы в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1071–1077
24. Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  83–86
25. Низкотемпературные (77–300 K) вольт-амперные характеристики $p^+$–$p$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в $p$-базе
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  548–550
26. Диодные размыкатели тока с субнаносекундным быстродействием на основе 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  544–547
27. Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  411–415
28. Диагностика ферритина в живом веществе методами магнетометрии
    
    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  78–84
29. Исследование $p$–$n$-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1358–1362