Лебедев Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC
   
   Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  18–21
2. Применение композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) для выращивания кубического политипа карбида кремния методом сублимации
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  294–297
3. Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  227–229
4. Особенности кристаллизации промежуточного слоя кремния в процессе переноса тонкого слоя 3C-SiC(001) на 6H-SiC(0001)-подложку
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  11–14
5. Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции
   
   Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  13–16
6. Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2193–2196
7. Температурная зависимость скорости удаления носителей в 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  482–484
8. Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  49–52
9. Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2216–2219
10. Органическая макромолекула на свободном и эпитаксиальном графене: модель HOMO-LUMO
    
    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2048–2050
11. Процессы долговременной релаксации в облученном протонами 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  743–750
12. Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  573–576
13. Влияние адсорбированной макромолекулы на подвижность носителей в однослойном графене: модель оборванных связей
    
    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  392–396
14. Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
    
    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  53–57
15. Тестовые структуры на базе SiC с тонкими слоями графена для определения аппаратной функции для Кельвин-зонд-микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  24–27
16. Электронно-дифракционное изучение преобразования реконструкции 6$\sqrt{3}$ на поверхности 4H-SiC(0001) в квазисвободный эпитаксиальный графен
    
    Физика твердого тела, 64:12 (2022),  2055–2060
17. Диэлектрические и оптические свойства кубических монокристаллов SiC, GeC и SnC: модельные оценки
    
    Физика твердого тела, 64:1 (2022),  70–73
18. Моделирование распределения температуры в зоне сублимационного роста графена на SiC подложке
    
    ЖТФ, 92:12 (2022),  1776–1780
19. Хемилюминесценция функционализированной поверхности графена
    
    Оптика и спектроскопия, 130:9 (2022),  1417–1422
20. Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций
    
    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1137–1143
21. Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов
    
    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1094–1098
22. Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
    
    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  809–813
23. Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  441–445
24. Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$
    
    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  225–228
25. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
26. Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями
    
    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  16–18
27. Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1726–1730
28. Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния
    
    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  462–471
29. Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники
    
    ЖТФ, 90:3 (2020),  450–455
30. Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$-диодов
    
    ЖТФ, 90:2 (2020),  264–267
31. Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388
32. Характеристики выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1364–1367
33. Модельные оценки квантовой емкости графеноподобных наноструктур
    
    Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  19–21
34. Терагерцевый ближнепольный отклик в лентах графена
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  29–32
35. Модельные оценки квантовой емкости графеновых наноструктур
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  7–9
36. Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров
    
    Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  3–6
37. Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37
38. Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме
    
    Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1978–1984
39. Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом
    
    Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384
40. Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1940–1946
41. Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608
42. Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452
43. Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  991–994
44. Роль кулоновского взаимодействия электронов адсорбата и субстрата: модель поверхностного димера
    
    Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  21–23
45. Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30
46. Модель поверхностного димера в задаче об адсорбции
    
    Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  40–42
47. Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)
    
    УФН, 189:8 (2019),  803–848
48. Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой
    
    Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2474–2477
49. Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1423–1430
50. Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6$H$- и 4$H$-SiC (0001) в вакууме
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1403–1408
51. Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97
52. Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1651–1655
53. Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1532–1534
54. Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1512–1517
55. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
56. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
57. Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях $n$- и $p$-SiC при торможении протонов
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  327–332
58. Роль зарядового состояния поверхностных атомов металлической подложки в допировании квазисвободного графена
    
    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  90–95
59. Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
    
    Письма в ЖТФ, 44:9 (2018),  34–40
60. Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия
    
    Физика твердого тела, 59:10 (2017),  2063–2065
61. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124
62. Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090
63. Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  311–316
64. Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  63–67
65. Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72
66. Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью
    
    Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1432–1435
67. Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена
    
    ЖТФ, 86:3 (2016),  135–139
68. Growth, study, and device application prospects of graphene on SiC substrates
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016),  30–36
69. Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6$H$-SiC (000$\bar1$) в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  967–972
70. Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  66–71
71. Биосенсоры на основе графена
    
    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  28–35
72. Об электронном состоянии атома, адсорбированного на эпитаксиальном графене, сформированном на металлической и полупроводниковой подложках
    
    Физика твердого тела, 57:1 (2015),  200–205
73. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1386–1388
74. Влияние облучения протонами и электронами МэВ-ных энергий на компенсацию проводимости и фотолюминесценцию слабо легированного $p$-4H-SiC (CVD)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1198–1201
75. Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  550–556
76. Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме
    
    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  89–94
77. О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в $p$-4H-SiC
    
    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  61–67
78. Оценка влияния адсорбции на проводимость однослойного эпитаксиального графена, сформированного на полупроводниковой подложке
    
    Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2486–2489
79. О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1329–1331
80. Компенсация проводимости $n$-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1033–1036
81. О возможности спинодального распада в переходном слое гетероструктуры на основе политипов карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  721–724
82. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  364–368
83. Облучение электронами с энергией 0.9 MeV $p$-SiC, выращенного методом сублимации
    
    Письма в ЖТФ, 40:15 (2014),  45–49
84. Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1554–1558
85. Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1279–1282
86. Структура и транспортные свойства наноуглеродных пленок, полученных сублимацией на поверхности на 6H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  267–272
87. Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения
    
    ЖТФ, 82:4 (2012),  131–135
88. О возможностях экспериментального определения величины спонтанной поляризации политипов карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  937–939
89. Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  473–481
90. Отжиг радиационно-компенсированного карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  90–94
91. К вопросу радиационной стойкости SiC-детекторов ядерного излучения в условиях повышенных рабочих температур
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1422–1426
92. Компенсация проводимости $p$-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1188–1190
93. Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  847–851
94. Вакансионная модель аннигиляции микротрубок в эпитаксиальных слоях карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  743–746
95. Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  634–638
96. Распределение по энергии атомов отдачи и формирование радиационных дефектов в пленках карбида кремния при протонном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  145–148
97. К вопросу об устойчивости объёмного самостоятельного разряда в рабочих смесях нецепного электрохимического HF-лазера
    
    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  703–708
98. Электрические характеристики пленок мультиграфена на подложках высокоомного карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1436–1438
99. К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  1002–1006
100. Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au–TiB$_x$–Al–Ti–$n^+$–$n$–$n^+$-GaN–Al$_2$O$_3$
     
     Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  775–781
101. Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами
     
     Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  706–712
102. Энергетические характеристики системы SiC(0001)–каналированный водород–графен
     
     Письма в ЖТФ, 36:18 (2010),  55–59
103. О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC
     
     Письма в ЖТФ, 36:12 (2010),  71–77
104. Исследование спектров краевой фотолюминесценции эпитаксиальных пленок $n$-3C-SiC
     
     Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  32–37
105. Скрытая анизотропия излучательных переходов в пористом кремнии
     
     Письма в ЖТФ, 18:16 (1992),  60–63
106. О природе $p$-слоя, образующегося в области интерфейса полупроводниковых пластин при твердофазном прямом сращивании кремния (ПСК)
     
     Письма в ЖТФ, 18:14 (1992),  51–56
107. Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния
     
     Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1075–1078
108. Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы
     
     Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  898–903
109. Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах и влияние на них глубоких центров
     
     Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  479–486
110. Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$
     
     Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  328–333
111. Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами
     
     Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1384–1390
112. Новый способ обработки спектров DLTS
     
     Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  549–552
113. К вопросу о гидрофилизации поверхности при прямом сращивании кремния
     
     Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  1–4
114. Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si
     
     Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2227–2229
115. Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si
     
     Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2066–2069
116. Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в $n$-Si
     
     Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  919–921
117. Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия
     
     Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  897–899
118. Самокомпенсация центров железа в кремнии при оптической накачке
     
     Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2076–2084
119. Образование структурных дефектов в кремнии и влияние на этот процесс углерода и марганца
     
     ЖТФ, 58:11 (1988),  2272–2274
120. Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$
     
     Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  298–300
121. Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом
     
     Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  133–136
122. Влияние ориентированной деформации и $\gamma$-облучения на уровни платины в кремнии
     
     Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  16–19
123. Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя выше 20 кВ
     
     Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  972–975
124. Доминирующие рекомбинационные центры в слоях $n$-GaAs, полученных осаждением из газовой фазы
     
     Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  181–185
125. Свойства монокристллов кремния после их деформации при высоком давлении
     
     Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1486–1491
126. Сечения фотоионизации уровней никеля в кремнии
     
     Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2237–2239
127. Метод повышения разрешающей способности нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках
     
     Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2228–2229
128. Пьезоемкостная спектроскопия радиационных дефектов в $p$-Si
     
     Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2149–2151
129. Влияние термообработки на плотность радиационных дефектов в диэлектрике и на поверхности полупроводника кремниевых МДП структур
     
     Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  836–841
130. Влияние одноосного давления на нестационарную емкостную спектроскопию глубоких уровней в Si$\langle$Zn$\rangle$
     
     Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  321–324
131. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП структур, облученных $\gamma$-квантами при наличии электрического поля в диэлектрике
     
     Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  23–29
132. Исследование влияния $\gamma$-облучения на спектр глубоких уровней в кремнии, легированном цинком
     
     Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  18–22
133. Новые парамагнитные центры в кремнии, легированном никелем
     
     Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1322–1326
134. Емкостная спектроскопия $p{-}n$-переходов на основе эпитаксиального $4H$-SiC, полученного ионной имплантацией Al
     
     Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2169–2172
135. Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов
     
     Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2122–2125
136. Определение концентрации глубоких уровней в объеме полупроводника из измерений нестационарной емкостной спектроскопии при постоянной емкости
     
     Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1806–1810
137. Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой
     
     Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1654–1657
138. Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния
     
     Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  844–848
139. Емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках при фототермической эмиссии носителей тока
     
     Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  683–686
140. Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии
     
     Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  185–186
141. Распад твердого раствора золота в кремнии II. Данные исследований оптической поляризации ядерных моментов
     
     ЖТФ, 55:11 (1985),  2162–2169
142. Распад твердого раствора золота в кремнии I. Данные исследований ядерной спин-решеточной релаксации
     
     ЖТФ, 55:11 (1985),  2149–2161
143. Влияние коррелированного неоднородного распределения поверхностных рекомбинационных центров и зарядов в окисле на генерацию неосновных носителей тока при емкостной спектроскопии в МДП структурах
     
     Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  1971–1975
144. Влияние генерации неосновных носителей тока на емкостную спектроскопию поверхностных состояний в МДП структурах
     
     Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1791–1795
145. Исследование термодефектов в высокоомном $n$-Si
     
     Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1709–1711
146. Исследование влияния $\gamma$-облучения на свойства $n$-Si$\langle$Mn$\rangle$ с помощью DLTS
     
     Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1617–1619
147. Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней
     
     Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1382–1385
148. Емкостные измерения профиля распределения и поверхностной концентрации глубокой примеси в тонких легированных слоях
     
     Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1375–1381
149. Емкостная и фотоэлектрическая спектроскопия уровней таллия в кремнии
     
     Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1273–1276
150. Влияние высокого гидростатического давления на энергию активации уровней Мn в $n$-Si
     
     Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1159–1161
151. Взаимодействие кислорода с марганцем в $n$-Si
     
     Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1158–1159
152. Оценка профиля распределения степени окисления кремния в переходных слоях Si$-$SiO$_{2}$
     
     Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1156–1158
153. Исследование плотности глубоких центров в катодно-распыленных пленках SiO$_{x}$ в зависимости от степени окисления кремния
     
     Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1087–1091
154. Влияние пластической деформации на состояние кислорода и углерода в кремнии
     
     Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  982–986
155. Фотопроводимость кремния, легированного селеном
     
     Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  919–922
156. Емкостная спектроскопия глубоких уровней (ГУ) в $n$-Si(Cr)
     
     Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  917–919
157. Емкостная спектроскопия радиационных дефектов, образующихся в переходном слое Si$-$SiO$_{2}$ при катодном напылении
     
     Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  831–835
158. Энергетические уровни селена в кремнии
     
     Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  597–600
159. Исследование Fe в $n$-Si с помощью ЭПР и емкостных методов
     
     Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  349–350
160. Параметры глубоких уровней в Si$\langle$V$\rangle$
     
     Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  338–340
161. Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем
     
     Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  213–216
162. Фотопроводимость кремния с примесью хрома
     
     Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  162–164
163. Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии
     
     Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  114–117
164. Влияние высокого давления на состояние оптически активного кислорода в кремнии при термообработке
     
     Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1306–1307
165. Выпрямительный диод на основе карбида кремния
     
     Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1053–1056
166. Факторы, способствующие образованию второй фазы в бестигельном кремнии
     
     Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  837–840
167. Емкостная спектроскопия глубоких уровней, возникающих в кремнии после диффузии серы
     
     Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2152–2155
168. Фото-ЭПР кремния, легированного железом, в обратно смещенном $p{-}n$-переходе
     
     Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1344–1347


169. Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
     
     Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383