Бугров Владислав Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  814–823
2. Особенности люминесценции объемных кристаллов $\beta$-(Ga$_x$Al$_{1-x}$)$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  389–393
3. Упругое взаимодействие квантовых дисков в гибридных QD/NW-структурах
   
   Письма в ЖТФ, 48:1 (2022),  39–42
4. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
   
   Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
5. Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия
   
   Физика твердого тела, 63:6 (2021),  788–795
6. Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 63:4 (2021),  421–426
7. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
8. Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38
9. Элементное и структурное картирование объемных кристаллов (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{2}$O$_{3}$, полученных методом Чохральского
   
   Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  19–22
10. Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  43–45
11. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  27–30
12. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
    
    Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
13. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  48–51
14. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  31–33
15. Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  954–957
16. Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  207–220
17. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям
    
    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
18. Генерация второй гармоники в гребенчатых волноводах в периодически поляризованном ниобате лития
    
    Квантовая электроника, 48:8 (2018),  717–719
19. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252
20. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7–8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  64–71
21. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
22. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
23. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250–1400 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  624–627
24. Снижение трещинообразования при росте AlN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  549–552
25. Осаждение слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций
    
    Физика твердого тела, 57:7 (2015),  1315–1319
26. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1569–1573
27. Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов
    
    Письма в ЖТФ, 41:21 (2015),  38–44
28. Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах
    
    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  1–8
29. Моделирование напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках
    
    Физика твердого тела, 54:12 (2012),  2294–2297