Войцеховский Александр Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  34–37
2. Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te
   
   Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  33–35
3. О решении обратной задачи нестационарной фильтрации
   
   Вестник ЧелГУ, 2003, № 9,  5–15
4. Ускоренная диффузия индия в Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te под воздействием облучения ионами при ${T=300}$ K
   
   Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2226–2228
5. Аннигиляция позитронов в облученных электронами кристаллах HgTe и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te (${x=0.2}$)
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  815–817
6. Оптические постоянные Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при ${\lambda=632.8}$ нм
   
   Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  355–356
7. Особенности дефектообразования в приповерхностной области HgCdTe при электронном облучении
   
   Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2082–2085
8. Квантовые осцилляции фотоэдс в электрическом поле в $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te (${x\simeq0.20}$) с поверхностным инверсионным каналом
   
   Письма в ЖТФ, 10:12 (1984),  742–746
9. Особенности поведения кристаллов Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, облученных электронами, при различных температурных обработках
   
   Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1876–1879