Лейдерман Ада Юльевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$
   
   Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  23–26
2. Исследование зависимости вольтамперной характеристики $p$-Si-$n$-(Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$-структур от температуры
   
   Comp. nanotechnol., 6:3 (2019),  16–21
3. Эффект инжекционного обеднения в $p$-Si–$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) гетероструктуре
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1066–1070
4. Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)$_{1-x-y}$(Ge$_{2}$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$ на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  60–66
5. Термовольтаический эффект в варизонном твердом растворе Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ (0 $\le x\le$ 1)
   
   Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  21–27
6. Эффект инжекционного обеднения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе твердых растворов (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$, (Si$_2$)$_{1-x}$(CdS)$_x$, (InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$, CdTe$_{1-x}$S$_x$
   
   Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2319–2325
7. Механизм переноса тока в инжекционном фотодиоде на основе структуры In–$n^+$–CdS-$n$-CdS$_x$Te$_{1-x}$–$p$-Zn$_x$Cd$_{1-x}$Te–Mo
   
   Физика твердого тела, 55:8 (2013),  1524–1535
8. Выращивание пленок твердого раствора (GaAs)$_{1-x}$(ZnSe)$_x$ и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств
   
   Физика твердого тела, 53:10 (2011),  1910–1919
9. Исследование вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-CdS/$p$-CdTe в зависимости от температуры
   
   Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  330–334
10. О природе темновых токов в структурах с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  373–376
11. Неустойчивость однородного стационарного состояния полупроводника, обусловленная тепловой деформацией его запретной зоны
    
    Докл. АН СССР, 201:4 (1971),  820–822