Демаков Константин Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Создание центров рекомбинации носителей зарядов в сапфировой подложке КНС-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1124–1128
2. Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов
   
   Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  264–266
3. Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно совершенных пленок кремния на сапфировой подложке
   
   Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1433–1435
4. Высокотемпературная ионная имплантация мышьяка в кремний
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1132–1133
5. Синтез аморфной пленки Si$_{3}$N$_{4}$ в процессе имплантации ионов азота в кремний
   
   Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  43–45
6. Исследование распределения аморфной и кристаллической фазы ионно-синтезированного SiC в Si
   
   Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  731–732
7. Электрические свойства структуры $p{-}n{-}n^{+}$ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия
   
   Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1685–1689
8. Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)
   
   Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  920–922
9. Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой техники высокоинтенсивного ионного легирования
   
   Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  149–152
10. Колебательная структура $D_{1}$-спектров в кубическом SiC
    
    Физика твердого тела, 27:10 (1985),  3170–3172
11. Восстановление структуры слоев карбида кремния после ионной имплантации
    
    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1575–1577
12. Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  700–703
13. Влияние каналирования на распределение электрически активных атомов бора и фосфора, внедренных в монокристаллы кремния
    
    Докл. АН СССР, 197:2 (1971),  319–322