|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Использование углерода для формирования дискретных зон на основе алюминия при их термомиграции в кремнии
Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 302–305
-
Морфология и электрические параметры тонких алюминиевых пленок, осаждаемых на подложки при температурах от 77 до 800 K
Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 42–45
-
Трансформация кольцевой зоны на основе алюминия при ее термомиграции в кремнии в направлении $\langle$100$\rangle$
Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 489–492
-
Эффект трансформации линейной зоны в виде квадрата при еe миграции через пластину кремния ориентации $\{100\}$
Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 17–19
-
Создание однородного поля температурного градиента для реализации метода термомиграции в кремнии
Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2051–2054
-
Формирование и структура термомиграционных кремниевых каналов, легированных Ga
ЖТФ, 91:3 (2021), 467–474
-
Структурное совершенство и состав легированных галлием термомиграционных слоев кремния
Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 27–30
-
О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов
Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 830–834
-
Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 297–301
-
Проявления индуцированной нестабильности межфазных границ при термомиграции
Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 49–56
© , 2026