Еремин Владимир Константинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мегаприборы кремниевой микроэлектроники
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  3–13
2. Собирание заряда в кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структурах при температуре 40 мК
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  179–186
3. Дрейфовый перенос носителей заряда в кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структурах при температурах $\le$100 мK
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  415–423
4. Физическое обоснование предела временно́го разрешения кремниевых планарных детекторов длиннопробежных тяжелых ионов
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  333–340
5. Современные кремниевые детекторы для гамма-астрофизики
   
   УФН, 194:4 (2024),  416–431
6. Analysis of $I$–$V$ characteristics of Si diodes irradiated with short-range ions
   
   Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1093
7. Научные задачи перспективного ускорительно-накопительного комплекса DERICA для исследования радиоактивных изотопов
   
   УФН, 189:7 (2019),  721–738
8. Позиционно-чувствительный спектрометрический модуль для регистрации ионизирующего излучения полупроводниковыми стриповыми детекторами
   
   Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  56–62
9. Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений
   
   Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  971–978
10. Распределение электрического поля в $p$–$n$-переходах кремниевых детекторов с торцевой чувствительностью
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1282–1289
11. Распределение потенциала в охранных структурах с плавающими кольцевыми $p$–$n$-переходами кремниевых детекторов излучений
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  547–553
12. Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом $n$-кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1962–1970
13. Ложные пики в спектрах DLTS планарных диодных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  477–480
14. К вопросу о радиационной стойкости планарных детекторов на основе высокоомного кремния
    
    Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  69–73
15. Возможности профилирования концентрации тяжелых элементов в тонких ВТСП-пленках на пучках быстрых ионов
    
    Письма в ЖТФ, 18:6 (1992),  91–94
16. К вопросу о спектре глубоких уровней, создаваемых в кремниевых детекторах излучений $\alpha$-частицами
    
    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  852–858
17. Компенсация кремния при дрейфе лития из ограниченного резервуара
    
    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  585–587
18. Приложение методики РОР с прецизионным разрешением к анализу многокомпонентных пленок
    
    ЖТФ, 59:8 (1989),  159–161
19. Об использовании кремниевых структур типа М$-$П$-$М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1613–1617
20. Кинетика тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниковых $n^{+}{-}p{-}p^{+}$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  478–482
21. Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям
    
    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2039–2042
22. Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле $p{-}n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1629–1633
23. Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1526–1528
24. Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1239–1243
25. Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1096–1100
26. Вклад рекомбинационных характеристик кремния в разрешающую способность детекторов короткопробежных частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1883–1887
27. Теория компенсации полупроводников методом дрейфа ионов легирующей примеси
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1673–1680
28. Ударная ионизация в резких $p^{+}{-}n$-переходах при динамической фокусировке электрического поля треком сильно ионизирующей частицы
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1388–1393
29. Особенности барьерной емкости $p^{+}{-}n$-структур в режиме инжекции
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  291–295
30. Возможности кремниевых барьеров Шоттки и планарных детекторов в спектрометрии низкоэнергетических протонов
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  565–569
31. Разрешение сверхтонкой структуры $\alpha$-спектров кремниевыми планарными детекторами
    
    ЖТФ, 56:10 (1986),  1987–1989
32. Процесс установления концентрации в дрейфующем пакете неравновесных носителей, инжектированных в $p{-}n$-переход
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1856–1860
33. Об использовании электрооптического эффекта для изучения области пространственного заряда $p{-}n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1234–1238
34. Влияние температуры на захват носителей локальными скоплениями примесей
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  350–353
35. О предельной разрешающей способности кремниевых детекторов короткопробежных частиц
    
    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1254–1258
36. Влияние локальных скоплений примесей на форму спектральной линии полупроводниковых детекторов
    
    ЖТФ, 55:7 (1985),  1400–1405
37. Форма линии и разрешающая способность детекторов излучений при спектрометрии импульсов тока
    
    ЖТФ, 55:6 (1985),  1130–1135
38. Захват носителей тока локальными скоплениями примесей в электрическом поле $p{-}n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  70–76
39. Исследование примесных скоплений в чистых материалах по форме спектров при аннигиляции пар электрон–позитрон
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  244–249
40. Кинетика быстродействующих $p{-}n$-фотодиодов на материалах с собственной проводимостью
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  143–146
41. Особенности кинетики тока, ограниченного объемным зарядом в $p{-}n$-переходах с электронейтральной базой
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  139–142