Мирсагатов Ш А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизм переноса тока в инжекционном фотоприемнике на основе структуры M(In)–$n$-CdS–$p$-Si–M(In)
   
   Физика твердого тела, 57:4 (2015),  646–660
2. Инжекционный фотодиод на основе $p$-Si–$n$-CdS–$n^+$-CdS-структуры
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1398–1404
3. Фотоэлектрические свойства инжекционного фотоприемника на основе твердых растворов соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  369–374
4. Механизм переноса тока в инжекционном фотодиоде на основе структуры In–$n^+$–CdS-$n$-CdS$_x$Te$_{1-x}$–$p$-Zn$_x$Cd$_{1-x}$Te–Mo
   
   Физика твердого тела, 55:8 (2013),  1524–1535
5. Инжекционный фотодиод на основе гетероструктуры $n$-CdS/$p$-CdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  815–820
6. Механизм переноса тока в диодах с барьером Шоттки на основе крупноблочных пленок CdTe
   
   Физика твердого тела, 54:9 (2012),  1643–1654
7. Инжекционный фотодиод на основе $p$-CdTe
   
   Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  70–76
8. Исследование вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-CdS/$p$-CdTe в зависимости от температуры
   
   Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  330–334
9. Светодиоды с гистерезисом излучения
   
   Докл. АН СССР, 188:2 (1969),  304–307