Освенский Владимир Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурная зависимость параметра решетки порошков Cu$_{2-x}$Se (0.03 $\le x\le$ 0.23), полученных методом механохимического синтеза
   
   Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2255–2259
2. Исследование теплопроводности Cu$_{2}$Se с учетом влияния подвижных ионов меди
   
   Физика твердого тела, 59:10 (2017),  2071–2076
3. Управление температурными полями в процессе искрового плазменного спекания термоэлектриков
   
   ЖТФ, 87:4 (2017),  584–592
4. Оптимизация составной генераторной ветви
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1052–1054
5. Контактные сопротивления в составных термоэлектрических ветвях
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1038–1040
6. Экспериментальные и теоретические исследования термоэлектрических свойств селенида меди
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  892–895
7. Моделирование активированного электрическим полем спекания термоэлектриков
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  756–758
8. Расчет теплопроводности наноструктурированного Bi$_{2}$Te$_{3}$ с учетом реального фононного спектра
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  729–732
9. Формирование методом активированного полем спекания эффективных материалов для устройств альтернативной энергетики
   
   Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  47–54
10. Влияние пористости на термоэлектрическую эффективность PbTe
    
    Физика твердого тела, 58:8 (2016),  1483–1489
11. Распределение температуры и плотности тока при искровом плазменном спекании неоднородных образцов
    
    ЖТФ, 86:1 (2016),  70–77
12. Механические свойства твердых растворов (Bi, Sb)$_{2}$Te$_{3}$, полученных направленной кристаллизацией и искровым плазменным спеканием
    
    Письма в ЖТФ, 42:2 (2016),  96–103
13. О создании функционально-градиентных термоэлектриков методом искрового плазменного спекания
    
    Письма в ЖТФ, 40:21 (2014),  79–87
14. Влияние распределения зерен по размерам на решеточную теплопроводность наноструктурированных материалов на основе Bi$_2$Te$_3$–Sb$_2$Te$_3$
    
    Физика твердого тела, 55:12 (2013),  2323–2330
15. Исследование возможностей увеличения термоэлектрической эффективности в наноструктурированных материалах на основе Bi$_2$Te$_3$–Sb$_2$Te$_3$
    
    Физика твердого тела, 54:11 (2012),  2036–2042
16. Энергетическая фильтрация носителей тока в наноструктурированном материале на основе теллурида висмута
    
    Физика твердого тела, 53:1 (2011),  29–34
17. Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  507–511
18. Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно легированного арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  187–189
19. Формирование неоднородности состава кристаллов арсенида галлия, обусловленной дислокациями
    
    ЖТФ, 59:2 (1989),  106–110
20. Влияние легирования индием на люминесценцию монокристаллов арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1259–1262
21. Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1025–1030
22. Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  507–509
23. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  44–48
24. О поведении ванадия в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2024–2027
25. Электрические свойства арсенида индия, облученного быстрыми нейтронами
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  521–524
26. Свойства ядерно-легированного арсенида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  822–827
27. О роли дислокаций в формировании свойств монокристаллов полуизолирующего GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  634–640
28. Свойства арсенида галлия, легированного Ge и Se облучением в тепловой колонне ядерного реактора
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1558–1565
29. Изучение процесса отжига ядерно-легированного арсенида галлия методом фотолюминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1211–1216
30. Определение рекомбинационной активности и глубины залегания точечнообразных дефектов в кристаллах полупроводников методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  38–43
31. Изменение электрофизических свойств ядерно-легированного арсенида галлия при отжиге
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2187–2192
32. Образование дислокаций в совершенных монокристаллах под действием напряжений
    
    Докл. АН СССР, 207:5 (1972),  1109–1111
33. Влияние примесей на преодоление дислокациями высоких барьеров Пайерлса
    
    Докл. АН СССР, 189:3 (1969),  513–515
34. О влиянии легирующих примесей на анизотропию пластической деформации монокристаллов $\mathrm{GaAs}$
    
    Докл. АН СССР, 184:5 (1969),  1084–1087


35. Памяти Сергея Петровича Соловьева к 80-летию со дня рождения (1932–2000)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1374–1375