Скороходов Евгений Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур
   
   ЖТФ, 95:1 (2025),  128–135
2. Формирование планарных структур с InGaN-слоями для источников света красного диапазона длин волн
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  406–413
3. Теоретические и экспериментальные исследования микромагнитов для создания кремниевого квантового процессора
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1071–1078
4. Получение неодносвязных магнитных паттернированных мезочастиц с помощью электронной литографии
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1036–1043
5. Влияние отношения потоков III и V групп на структурные, излучательные свойства и стимулированное излучение планарных структур с InGaN-слоями в ИК диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  220–225
6. Гиротропные колебания магнитных вихрей в двух взаимодействующих ферромагнитных дисках
   
   Письма в ЖЭТФ, 117:2 (2023),  165–170
7. Вихревые туннельные магнитные контакты с композитным свободным слоем
   
   ЖТФ, 93:11 (2023),  1616–1621
8. Визуализация магнитных полей в растровом электронном микроскопе
   
   ЖТФ, 93:7 (2023),  1014–1018
9. Особенности формирования объемных слоев In$_x$Ga$_{1-x}$N в зоне несмешиваемости твердых растворов ($x\sim$ 0.6) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  444–450
10. Ферромагнитный резонанс в обменно-связанных магнитных вихрях
    
    Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1333–1337
11. Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  848–854
12. Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  700–704
13. Исследование параметров сверхпроводящих и изолирующих элементов структур, получаемых на пленках YBCO методом задающей маски, при уменьшении их размеров
    
    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1218–1222
14. Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772
15. О возможности изготовления мостиков YBCO с совершенной поверхностью, критической температурой более 88 K и плотностью критического тока до 5 $\cdot$ 10$^{6}$ A/cm$^{2}$
    
    Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1398–1402
16. Моделирование вынужденных колебаний намагниченности в системе трех ферромагнитных нанодисков
    
    Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1349–1353
17. Морфология и состав дефектированных массивов ниобиевых оксидных неоднородностей, сформированных анодированием двуслойной системы Al/Nb
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1854–1859
18. Магнитно-резонансная силовая спектроскопия колебаний магнитного вихря
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1821–1824
19. Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  958–961
20. МСМ исследование влияния механических напряжений на магнитное состояние частиц Ni
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1623–1627
21. Моделирование взаимодействия зонда магнитно-резонансного силового микроскопа с ферромагнитным образцом
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1646–1649
22. Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400
23. Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1360–1365
24. Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1311–1314
25. Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232
26. Влияние ориентации магнитного момента зонда магнитно-резонансного силового микроскопа на спектры спин-волновых резонансов
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2213–2218
27. Исследование изолирующей области планарных сверхпроводниковых YBCO-структур, формируемых методом задающей маски
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2100–2104
28. Магнитные скирмионы в пленках с модулированной толщиной
    
    Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018),  378–382
29. Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1362–1365
30. Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1331–1336
31. Магнитно-резонансная силовая спектроскопия массива микрополосок пермаллоя
    
    Письма в ЖТФ, 44:5 (2018),  49–56
32. Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1599–1604
33. Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598
34. Управляемый магнитными полями четырех наночастиц пиннинг доменной стенки в ферромагнитной нанопроволоке
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2145–2148
35. Ферромагнитный резонанс во взаимодействующих магнитных микрополосках
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2135–2139
36. Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536
37. Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1133–1137
38. Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  264–268
39. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1463–1468
40. Рост и особенности формирования микроструктуры пленок YBCO, получаемых методом магнетронного напыления на подложках из фианита
    
    ЖТФ, 84:10 (2014),  68–72
41. О влиянии микрокристаллической структуры на магнитные свойства ферромагнитных пленок и структур на их основе
    
    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  435–439
42. Рост пленок InN методом металлоорганической газофазной эпитаксии при активации азота в плазме, создаваемой гиротронным излучением
    
    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  86–94