Осинных Игорь Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1125–1131
2. Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  802–807
3. Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  677–684
4. Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах
   
   Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  39–42
5. Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si
   
   Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  48–51
6. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
7. Усиленная люминесценция сильнолегированных Al_xGa_1-xN-структур при оптическом возбуждении
   
   Квантовая электроника, 48:3 (2018),  215–221
8. Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке
   
   Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  5–13
9. Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1164–1168