Малин Тимур Валерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Параметры стимулированного излучения в Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N : Si/AlN/Al$_2$O$_3$-структуре с планарной геометрией
   
   Оптика и спектроскопия, 132:9 (2024),  911–917
2. Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже структурного фазового перехода (7$\times$7)$\to$(1$\times$1)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  349–357
3. Оптическое усиление в сильнолегированных Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si-структурах при непрерывной накачке
   
   Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  39–42
4. Механизмы оптического усиления в сильно легированных Al$_x$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах ($x$ = 0.56–1)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  731–737
5. Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1125–1131
6. Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  802–807
7. Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al$_2$O$_3$(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  734–741
8. Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  677–684
9. Формирование квантовых точек GaN при повышении температуры в потоке аммиака
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  667–671
10. Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах
    
    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  39–42
11. Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2327–2332
12. Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием
    
    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  42–45
13. Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  48–51
14. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
15. Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1407–1413
16. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650
17. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
18. Усиленная люминесценция сильнолегированных Al_xGa_1-xN-структур при оптическом возбуждении
    
    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  215–221
19. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402
20. Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  5–13
21. Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  72–79
22. Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    ЖТФ, 85:4 (2015),  67–73
23. Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1329–1334
24. Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  925–931
25. Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N
    
    ЖТФ, 84:9 (2014),  96–99
26. Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1164–1168
27. Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  36–47