Тетельбаум Давид Исаакович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эффекты анизотропного рассеяния в тонких пленках YBCO
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1254–1261
2. Критерий определения верхних критических полей $H_{c2}$ в тонких пленках YBCO с разной дозой ионного облучения
   
   Физика твердого тела, 65:6 (2023),  907–913
3. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
4. Влияние ионного облучения на электронный транспорт в тонких пленках YBCO
   
   Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1162–1168
5. Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO
   
   Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1434–1439
6. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
7. Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  771–777
8. Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 46:1 (2020),  24–27
9. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях
   
   Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1573–1578
10. Роль границы раздела водная среда–твердое тело в передаче возбуждения кремния светом
    
    ЖТФ, 89:9 (2019),  1427–1433
11. Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1023–1029
12. Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  3–6
13. Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1436–1442
14. Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  967–972
15. Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  702–707
16. Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  87–92
17. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$
    
    ЖТФ, 86:5 (2016),  107–111
18. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278
19. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244
20. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  17–24
21. Формирование фторсодержащих дефектов и нанокристаллов в SiO$_2$ при имплантации ионов фтора, кремния и германия: компьютерное моделирование и фотолюминесцентная спектроскопия
    
    Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2106–2111
22. Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_x$
    
    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  81–89
23. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb
    
    Физика твердого тела, 56:3 (2014),  607–610
24. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  212–216
25. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  44–48
26. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния
    
    Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2243–2249
27. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  460–465
28. Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода
    
    Физика твердого тела, 54:2 (2012),  370–377
29. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO$_2$ и Al$_2$O$_3$
    
    Физика твердого тела, 54:2 (2012),  347–359
30. Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния
    
    ЖТФ, 82:12 (2012),  63–66
31. Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  641–643
32. Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов
    
    Физика твердого тела, 53:12 (2011),  2294–2298
33. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1182–1187
34. Эволюция оптических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  747–753
35. Формирование и “белая” фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO$_x$, имплантированных ионами углерода
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1498–1503
36. Об аномальной дозовой зависимости концентрации $VV$-центров в кремнии при ионной имплантации азота
    
    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1514–1516
37. О механизме изменения свойств металлов с высокой степенью структурного несовершенства при малых дозах ионного облучения
    
    Докл. АН СССР, 311:3 (1990),  606–608
38. Немонотонный характер дозовой зависимости электрических свойств и химической стойкости азотированного ионной имплантацией кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2149–2152
39. Влияние протяженных дефектов в исходных кристаллах на эффект дальнодействия при ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 15:22 (1989),  44–47
40. Усиление генерируемых ионной бомбардировкой упругих волн при распространении в кристалле с кластерами дефектов
    
    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  273–276
41. О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1495–1497
42. Эффект дальнодействия при ионном облучении «бескислородного» кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  904–910
43. Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  503–507
44. Влияние давления на скорость рекристаллизации аморфизованного слоя кремния при постимплантационном отжиге
    
    Физика твердого тела, 27:1 (1985),  274–277
45. Дефектообразование в кремнии при ионной бомбардировке за пределами области пробега ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  464–468
46. Связь аморфизуемости алмазоподобных полупроводников с их механическими свойствами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1045–1048
47. Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  838–842
48. Структура ближнего порядка $\mathrm{InSb}$, аморфизованного ионной бомбардировкой
    
    Докл. АН СССР, 248:6 (1979),  1335–1337
49. Структурные превращения при бомбардировке железа, никеля и молибдена ионами $\mathrm{Ar}^+$, $\mathrm{N}^+$ и $\mathrm{C}^+$
    
    Докл. АН СССР, 217:2 (1974),  330–332
50. Связь между аморфизацией и образованием точечных дефектов при ионной бомбардировке германия и кремния
    
    Докл. АН СССР, 192:2 (1970),  324–326
51. Структура аморфного германия, полученного из кристаллического бомбардировкой ионами аргона
    
    Докл. АН СССР, 175:4 (1967),  823–825