Мехтиева Салима Ибрагим кызы

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние режима получения образцов и термообработки на локальную структуру халькогенидного полупроводника Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  291–296
2. Структура и оптические свойства халькогенидного стеклообразного полупроводника As–Ge–Te
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1052–1057
3. Оптические свойства и критические точки наноструктурированных тонких пленок PbSe
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  527–531
4. Влияние примеси самария на локальную структуру халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$ и механизм прохождения тока через структуры Al–Se$_{95}$Te$_{5}\langle\mathrm{Sm}\rangle$–Te
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1655–1663
5. Структура халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_{5}$, легированного примесью EuF$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1540–1543
6. Cтруктура и оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As–Ge–Se
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1532–1539
7. Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  809–814
8. Дисперсия показателя преломления халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  971–974
9. Особенности локальной структуры халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1182–1185
10. Комбинационное рассеяние света в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As–Se–S и As–Se–Te
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  823–826
11. Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As–Se–S
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  818–822
12. Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$ с примесью EuF$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  158–162
13. Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$, содержащего примеси редкоземельных атомов EuF$_3$, в сильных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1138–1142
14. Токи, ограниченные пространственными зарядами в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se$_{95}$As$_5$, содержащей примеси EuF$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1599–1603
15. Исследование оптических параметров халькогенидной полупроводниковой системы Se–As, содержащей примеси EuF$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1026–1030
16. Исследование влияния отжига на структуру пленок Bi$_2$Te$_3$–Bi$_2$Se$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  853–856
17. О происхождении дырочной проводимости селена
    
    Докл. АН СССР, 194:4 (1970),  798–800
18. О некоторых итогах исследования селена
    
    УФН, 99:3 (1969),  503–505
19. Селен как полимерный полупроводник и механизм его проводимости
    
    Докл. АН СССР, 167:4 (1966),  782–784