Рытова Наталья Сергеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Образование молекул водорода в арсениде галлия $n$-типа при его гидрогенизации
   
   Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1078–1080
2. Анализ диффузионных профилей водорода, образующихся при гидрогенизации полупроводниковых образцов
   
   Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  990–996
3. О пассивации электрически активных центров в полупроводниках нейтральным атомарным водородом
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  316–322
4. Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1004–1010
5. О пространственной корреляции доноров и акцепторов в эпитаксиальных слоях GaP с изовалентными и редкоземельными примесями
   
   Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2061–2065
6. Электрические свойства арсенида индия, облученного быстрыми нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  521–524
7. Равновесная концентрация вакансий в полупроводниковом соединении при его легировании изовалентными примесями
   
   Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1514–1517
8. Об определении параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии глубоких уровней (ФЭРСГУ)
   
   Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1428–1432
9. Влияние изовалентных примесей — источников упругих напряжений в кристалле на поведение точечных дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1380–1387
10. Свойства ядерно-легированного арсенида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  822–827
11. О природе формирования неоднородности в InSb
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1585–1588
12. Особенности дефектообразования в кремнии, содержащем изовалентную примесь олова
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1573–1576
13. Кулоновское взаимодействие электронов в тонкой пленке
    
    Докл. АН СССР, 163:5 (1965),  1118–1120