RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Иванов-Омский Владимир Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Локализация света в полимере на основе эпоксиакрилового композита, модифицированном нанокластерами ZnO

    Письма в ЖТФ, 47:17 (2021),  41–45
  2. Особенности локализации света неоднородной пленкой

    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  14–17
  3. Нековалентные взаимодействия подскорлуповой яичной мембраны

    Письма в ЖТФ, 46:18 (2020),  10–11
  4. Идентификация Н-связей кальцинированного аортального клапана

    Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  24–26
  5. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами

    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27
  6. Анализ ИК-спектров минерализованных осадков на сердечных клапанах человека

    Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  83–88
  7. Encapsulation of iron atoms between fragments of graphene planes

    Наносистемы: физика, химия, математика, 6:5 (2015),  680–688
  8. Carbon encapsulation of magnetic metal nanoparticles: correlation between nanoscale structure of carbon matrix and electromagnetic properties

    Наносистемы: физика, химия, математика, 5:1 (2014),  192–194
  9. О характеристике водородных связей в D-глюкозе

    Письма в ЖТФ, 40:16 (2014),  29–35
  10. Газоразрядная зондовая микроскопия водопроводящих каналов в древесине

    Письма в ЖТФ, 38:8 (2012),  32–38
  11. Модель кооперативного характера водородной связи в воде

    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  33–38
  12. Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  900–907
  13. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe

    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  70–77
  14. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках Si

    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  39–46
  15. Микротвердость твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te

    Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3610–3612
  16. Спектр мелкого акцептора в полумагнитном полупроводнике в магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1728–1736
  17. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Zn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te

    Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1288–1294
  18. Нейтронное облучение Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  420–426
  19. Фотолюминесценция эпитаксиального слоя InSb на квазиполуизолирующей подложке $p$-InSb

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  413–419
  20. Магнитофотолюминесценция узкощелевого полупроводника Hg$_{0.77}$Cd$_{0.23}$Te

    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  305–309
  21. Структура примесного центра марганца в антимониде галлия

    Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  89–94
  22. Темновые токи в $p{-}n$-переходах, созданных ионно-лучевым травлением на кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2196–2200
  23. Влияние концентрации марганца на спектр фотолюминесценции GaSb

    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  2024–2027
  24. Фотолюминесценция антимонида галлия, легированного марганцем

    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1960–1966
  25. О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида галлия $p$-типа проводимости

    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1589–1592
  26. Изменение дефектной структуры Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при легировании индием

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1423–1428
  27. Экситон-фотонная фотолюминесценция в широкозонных сплавах Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1217–1227
  28. Квантовый выход фотолюминесценции в твердых растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($0.4<x<0.74$)

    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1103–1106
  29. Люминесценция имплантированных слоев Cd$_{0.38}$Hg$_{0.62}$Te и диодных структур на их основе

    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1058–1064
  30. ИК магнитооптические резонансы в полумагнитных сплавах Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  41–44
  31. Субмиллиметровый ЭПР в HgCdMnTe

    Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  52–54
  32. P$-$N переходы на основе эпитаксиальных слоев Mn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te

    Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  48–51
  33. Циклотронный резонанс в эпитаксиальных слоях $n$-ZnCdHgTe

    Письма в ЖТФ, 17:19 (1991),  55–58
  34. Мелкий акцепторный уровень марганца в антимониде галлия

    Письма в ЖТФ, 17:17 (1991),  21–24
  35. Магнитофотоэлектрическое наблюдение мелкого акцептора в полумагнитном сплаве $p$-Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te

    Письма в ЖТФ, 17:14 (1991),  69–73
  36. Особенности оптической ориентации электронов в сплавах Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  32–35
  37. Избыточные обратные токи в $p{-}n$ переходах на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, обусловленные флуктуациями концентрации примесей

    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  9–13
  38. Электрофизические свойства Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, подвергнутого ионно-лучевому травлению

    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2222–2224
  39. Фотолюминесценция Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te, связанная с локальным уровнем Mn$^{+}$

    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2160–2166
  40. Циклотронный и комбинированный резонансы в полумагнитных твердых растворах Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1823–1826
  41. Фотопроводимость $p$-Mn$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1732–1735
  42. Диффузия индия в эпитаксиальных слоях Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  582–585
  43. Зеемановское расщепление $3\Gamma_{8}^{-}$-состояния мелких акцепторов в германии

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  196–198
  44. Фотолюминесценция твердых растворов Cd$_{0.4}$Hg$_{0.6}$Te

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  93–97
  45. Оптически детектируемый магнитный резонанс в полумагнитном полупроводнике

    Письма в ЖТФ, 16:18 (1990),  74–77
  46. Магнитоспектроскопия литийсодержащих доноров в германии

    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1874–1880
  47. Магнитоспектроскопия комплекса D(H, O) в германии

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1440–1447
  48. Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1434–1439
  49. Индуцированная светом спиновая поляризация в полумагнитных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1888–1892
  50. Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1416–1421
  51. Электрические свойства эпитаксиальных слоев Mn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1258–1261
  52. Туннельно-рекомбинационные токи в $p{-}n$-переходах на основе Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при ${T>80}$ K

    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  333–335
  53. Рентгендифрактометрическая оценка структурного совершенства монокристаллов теллурида кадмия

    Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1410–1413
  54. Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом

    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2201–2209
  55. Фотоэлектрическая лазерная магнитоспектроскопия мелких доноров в высокочистом GaAs

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1771–1777
  56. Влияние отклонения состава кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x\simeq 0.2}$) от стехиометрического на скорость диффузии Hg

    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1462–1464
  57. $g$-факторы донорных уровней в GaAs. Спин-орбитальное взаимодействие в поле примесного центра

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  30–36
  58. Осцилляции интенсивности фотолюминесценции полумагнитного полупроводника Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  508–510
  59. Фотолюминесценция и фотопроводимость узкощелевого полумагнитного полупроводника Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te в магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  73–79
  60. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур $Cd\,Te-Cd_{x}\,Hg_{1-x}\,Te$ (${x\sim0.6-0.7}$)

    Письма в ЖТФ, 12:16 (1986),  976–979
  61. Кинетика приведения кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в равновесие с парами ртути

    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  819–824
  62. Лавинные фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев $Cd_x\,Hg_{1-x}\,Te$

    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1359–1362
  63. Наблюдение спектров фотовозбуждения мелких доноров и циклотронного резонанса свободных электронов в $In\,P$, легированном $Cd$ и $Yb$

    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  347–351
  64. Электрические свойства эпитаксиальных слоев $Hg_{1-x}\,Cd_x\,Te$ ($x\simeq 0.2$)

    Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  111–114
  65. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1681–1683
  66. Спонтанное и вынужденное излучение связанных экситонов в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1509–1511
  67. Аномалия электрических и фотоэлектрических свойств в $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1458–1461
  68. Фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  327–329
  69. К вопросу об аномалиях кинетических коэффициентов в Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te при низких температурах

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  201–205
  70. Стимулированное излучение в эпитаксиальных слоях Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  1021–1023
  71. Спектры поглощения и фотолюминесценции Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика твердого тела, 25:4 (1983),  1214–1216
  72. Обнаружение экситонной люминесценции в кристаллах антимонида индия

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  532–534
  73. Влияние электрического поля на форму линии циклотронного резонанса в $n$-GaAs

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  155–157
  74. Связанные экситоны в фотолюминесценции и в фотопроводимости Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  27–29
  75. Сужение линий фотовозбуждения мелких примесей в электрическом поле

    Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  742–744
  76. Электрические свойства эпитаксиальных слоев Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, полученных методом химических транспортных реакций

    Письма в ЖТФ, 9:9 (1983),  564–567
  77. Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников

    УФН, 120:3 (1976),  337–362
  78. Подвижность электронов в $\mathrm{HgTe}$

    Докл. АН СССР, 162:6 (1965),  1269–1270
  79. Рекомбинационное излучение в $\mathrm{InSb}$ при магнитоконцентрационном эффекте

    Докл. АН СССР, 161:6 (1965),  1308–1309

© МИАН, 2026