Аргунова Татьяна Сергеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  306–309
2. Измерение высоты ступенек на поверхности монокристаллов методом фазового контраста в синхротронном излучении
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2201–2204
3. Cекционные методы рентгеновской дифракционной топографии (обзор)
   
   ЖТФ, 92:10 (2022),  1475–1496
4. Новый метод изображения микрообъектов в синхротронном излучении с использованием нанофокусировки и томографии
   
   Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  31–34
5. Исследование структурных особенностей дентина методами микротомографии и просвечивающей электронной микроскопии
   
   ЖТФ, 90:9 (2020),  1449–1461
6. Модель развития микротрещин в дентине зубов человека на основе данных микротомографии
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  46–50
7. Исследование микропор в монокристаллах методом фазово-контрастного изображения на просвет в синхротронном излучении
   
   УФН, 189:6 (2019),  643–658
8. Предотвращение растрескивания кристаллов AIN на подложках SiC путем испарения подложек
   
   Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2400–2404
9. Механизмы формирования морфологических особенностей микротрубок в объемных кристаллах карбида кремния
   
   Физика твердого тела, 57:4 (2015),  733–740
10. Исследование процесса обратного восстановления Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием
    
    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  83–89
11. Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1135–1139
12. Структурное совершенство двойных гетероструктур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}-$InAs
    
    Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3355–3361
13. Механизмы релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$/GaSb (${x\sim0.1}$, ${y\sim0.2}$)
    
    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  158–163
14. Влияние дислокаций несоответствия на брэгговскую дифракцию рентгеновских лучей от гетероструктур
    
    Физика твердого тела, 31:1 (1989),  40–45
15. Аномальная наблюдаемость рентгенотопографического контраста сеток дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных структурах
    
    ЖТФ, 57:6 (1987),  1114–1120
16. Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов
    
    ЖТФ, 57:2 (1987),  316–321
17. Дислокационная структура и вольт-амперные характеристики диодных плавных гетеросистем $n-In\,As/p-In\,As_{1-x}\,P_{x}$, полученных методом электрожидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1134–1139
18. Рентгенотопографическое определение знаков дислокаций несоответствия
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1052–1057
19. Аномальная видимость дислокаций несоответствия на рентгеновских топограммах в геометрии Брэгга
    
    Физика твердого тела, 28:2 (1986),  581–583
20. 60$^{\circ}$ дислокации несоответствия в гетероструктурах типа In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs (001)
    
    Физика твердого тела, 27:10 (1985),  2960–2964
21. Плотность дислокаций и параметры $p{-}n$ структур на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
    
    ЖТФ, 55:11 (1985),  2280–2282