Гудовских Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические и фотоэлектрические свойства многослойных структур GaN|InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2390–2393
2. Исследование влияния параметров центрифугирования и состава суспензии PEDOT:PSS на характеристики солнечных элементов $b$-Si/PEDOT:PSS
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  286–290
3. Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе наноструктурированного “черного” кремния с пасcивирующим слоем $n$-GaP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  223–226
4. Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  18–22
5. Использование наноструктурированного черного кремния в поверхностно-усиленной спектроскопии комбинационного рассеяния света
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2152–2154
6. Гибридные солнечные элементы на основе гетероперехода PEDOT:PSS/Si, полученные методом центрифугирования на массиве кремниевых волокон
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  569–572
7. Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 50:16 (2024),  3–6
8. Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические и электрофизические свойства кремниевых гетероструктурных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 50:2 (2024),  23–27
9. Разработка технологии плазмохимического осаждения фосфида бора при низкой температуре
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2198–2200
10. Исследование возможности повышения годовой выработки электроэнергии за счет использования кремниевых солнечных элементов с наноструктурированной поверхностью
    
    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  522–525
11. Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  406–413
12. Влияние предварительной химической обработки на эффективность пассивации текстурированных кремниевых пластин
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  62–64
13. Моделирование гетероструктуры PEDOT:PSS/Si для гибких гибридных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  52–55
14. Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  16–20
15. Гибридные резонансные металлодиэлектрические наноструктуры для локального окрашивания
    
    Письма в ЖЭТФ, 115:4 (2022),  213–217
16. Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1002–1010
17. Исследование влияния обработки поверхности Si-подложек на морфологию слоев GaP, полученных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  213–220
18. Исследование влияния особенностей конструкции установки магнетронного распыления на электрические и оптические свойства пленок оксида индия-олова
    
    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  360–364
19. Влияние условий формирования пленок In$_{2}$O$_{3}$–SnO$_{2}$ методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  31–33
20. Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  47–50
21. Исследование свойств солнечных элементов на основе селективного контакта MoO$_{x}$/Si с помощью спектроскопии полной проводимости
    
    Письма в ЖТФ, 47:16 (2021),  24–27
22. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
    
    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54
23. Формирование селективного контакта BP/Si с помощью низкотемпературного плазмохимического осаждения
    
    Письма в ЖТФ, 47:2 (2021),  49–51
24. Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  37–40
25. Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1095–1102
26. Визуализация изочастотных контуров сильно локализованных волноводных мод в планарных диэлектрических структурах
    
    Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018),  12–17
27. Прецизионное химическое травление эпитаксиальных слоев GaP(NAs) для формирования монолитных оптоэлектронных приборов
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1668–1674
28. Формирование кристаллических слоев Cu$_{2}$O и ZnO методом магнетронного распыления и их оптическая характеризация
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  402–408
29. Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  111–115
30. Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  89–93
31. Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1543–1547
32. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  663–667
33. Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1448–1452
34. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  569–572
35. Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  534–538
36. Моделирование характеристик двухпереходных солнечных элементов на основе гетероструктур ZnSiP$_2$ на кремниевой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  15–23
37. Исследование свойств границ раздела солнечных элементов на основе GaInP с помощью измерения спектральных характеристик с варьируемым потоком излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  475–480
38. Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/Si методом компьютерного моделирования
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  396–401
39. Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1264–1269
40. Исследование свойств солнечных элементов на основе $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$-структур с помощью спектроскопии полной проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1094–1101
41. Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  667–674
42. Фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP
    
    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  88–94
43. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1568–1576