Бовкун Леонид Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора”
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023),  860–868
2. Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022),  535–543
3. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  541–546
4. Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  184–190
5. Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле
   
   Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018),  352–358
6. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1486–1490
7. Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279
8. Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464
9. Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017),  696–701
10. Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629
11. Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593
12. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  40–44
13. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1697–1700
14. Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1554–1560
15. Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1676–1682
16. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1672–1675