RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Домашевская Эвелина Павловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Структурные и газочувствительные характеристики тонких полупроводниковых пленок PdO различной толщины при детектировании озона

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1034–1039
  2. Влияние относительного содержания металлической компоненты в диэлектрической матрице на образование и размеры нанокристаллов кобальта в пленочных композитах Co$_{x}$(MgF$_{2}$)$_{100-x}$

    Физика твердого тела, 61:2 (2019),  211–219
  3. Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры

    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  940–946
  4. Особенности фазообразования и электронного строения в пленочных композитах Al$_{1-x}$Si$_{x}$ при магнетронном и ионно-лучевом напылении

    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  1005–1011
  5. Фотолюминесцентные свойства нанопористого нанокристаллического карбонат-замещенного гидроксиапатита

    Оптика и спектроскопия, 124:2 (2018),  191–196
  6. Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления

    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  773–782
  7. Особенности локальной атомной структуры металлических слоев многослойных наноструктур (CoFeZr/SiO$_{2}$)$_{32}$ и (CoFeZr/$a$-Si)$_{40}$ с различными прослойками

    Физика твердого тела, 59:2 (2017),  373–378
  8. Электронное строение и фазовый состав диэлектрических прослоек в многослойной аморфной наноструктуре [(CoFeB)$_{60}$C$_{40}$/SiO$_{2}$]$_{200}$

    Физика твердого тела, 59:1 (2017),  161–166
  9. Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  363–366
  10. Ab initio моделирование и синхротронные рентгеноспектральные исследования оксидов олова вблизи Sn $L_{3}$-краев поглощения

    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2294–2298
  11. Межатомные взаимодействия на интерфейсах многослойных наноструктур (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/a-Si)$_{40}$ и (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_{2}$)$_{32}$

    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  991–999
  12. Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs и In$_{2}$Te$_{3}$/InAs

    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  313–317
  13. Состав и оптические свойства аморфных пленок $a$-SiO$_{x}$:H с нанокластерами кремния

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  212–217
  14. Электрофизические и оптические свойства оксидных нанослоев, полученных термическим окислением металлического олова

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  180–184
  15. Исследование поверхностных дефектов в нитевидных кристаллах SnO$_2$ методами XANES и XPS

    Физика твердого тела, 57:1 (2015),  145–152
  16. Особенности изменения с течением времени оптических характеристик нано-, мезо- и макропористого кремния

    ЖТФ, 85:7 (2015),  151–155
  17. Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/ SiO$_x$/$\dots$/Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  421–425
  18. Особенности электронного строения и фазового состава аморфных пленок композитов (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ по данным рентгеноспектральных исследований

    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  82–88
  19. Особенности атомного и электронного строения нитевидного кремния, сформированного на подложках с различным удельным сопротивлением по данным ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии

    Письма в ЖТФ, 41:7 (2015),  81–88
  20. XPS-исследования межатомных взаимодействий в поверхностном слое многослойных наноструктур (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/$a$-Si)$_{40}$ и (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_2$)$_{32}$

    Физика твердого тела, 56:11 (2014),  2219–2230
  21. Теоретическое и экспериментальное исследование электронной структуры диоксида олова

    Физика твердого тела, 56:9 (2014),  1690–1695
  22. Оптические характеристики различных структур пористого кремния

    ЖТФ, 84:2 (2014),  70–75
  23. Особенности формирования золь–гель методом композитов 3$d$-металл/пористый кремний и их оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  570–575
  24. XANES-исследования межатомных взаимодействий в многослойных наноструктурах (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/$a$-Si)$_{40}$ и (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_2$)$_{32}$

    Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1202–1210
  25. Синхротронные исследования многослойных нанопериодических структур Si/Mo/Si $\dots$ $c$-Si (100)

    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  577–584
  26. Особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного в $p^+$-эпитаксиальном слое на $n$-Si(111)

    ЖТФ, 83:3 (2013),  96–100
  27. Оптические свойства пористого кремния, обработанного в тетраэтилортосиликате

    ЖТФ, 83:2 (2013),  136–140
  28. Синхротронные исследования формирования нанокластеров кремния в многослойных наноструктурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100)

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1327–1334
  29. Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  9–14
  30. Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  3–8
  31. Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния

    ЖТФ, 82:2 (2012),  150–152
  32. Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках $n$-типа с эпитаксиально нанесенным $p^+$-слоем

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1101–1107
  33. Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  739–750
  34. Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1489–1497
  35. Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  488–499
  36. Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния

    Письма в ЖТФ, 37:17 (2011),  1–8
  37. Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In$_x$Ga$_{1-x}$As

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1140–1146
  38. Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  194–199
  39. Морфология нанокристаллов оксида олова, полученных методом газотранспортного синтеза

    Письма в ЖТФ, 36:12 (2010),  1–7
  40. Исследование энергетического спектра локализованных Д-состояний в объеме и на поверхности $a$-Si : H методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии

    Физика твердого тела, 33:10 (1991),  3033–3038
  41. Плотность состояний хвоста валентной зоны и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1448–1450
  42. Влияние стехиометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In$_{2}$Te$_{3}$)$_{x}{-}$(HgTe)$_{1-x}$

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  893–897
  43. Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния

    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  450–455
  44. Электронное строение валентной зоны твердых растворов Al$_{y}$Ga$_{1-y}$As и GaAs$_{1-x}$P$_{x}$ по данным рентгеновской спектроскопии

    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  268–273
  45. Плотность электронных состояний соединений MB$_{66}$

    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  899–901
  46. Управление плотностью эффективного поверхностного заряда в МДП структуре с пленкой триоксида вольфрама

    ЖТФ, 57:10 (1987),  1957–1961
  47. Локальные электронные состояния иодного центра в AgCl

    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2191–2193
  48. Влияние $5d$-электронов ртути на захлопывание запрещенной зоны в твердых растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1658–1661
  49. Структура валентной полосы соединения с промежуточной валентностью SmB$_{6}$

    Физика твердого тела, 27:7 (1985),  2173–2175
  50. Самосогласованная релятивистская зонная структура соединения TmS в приближении функционала локальной плотности

    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  554–556
  51. Плотность состояний и фотопроводимость аморфного кремния

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1897–1899
  52. Электронное строение халькогенидов меди по рентгеноспектральным и рентгеноэлектронным данным

    Физика твердого тела, 25:8 (1983),  2482–2484
  53. К вопросу о природе химической связи в полупроводниковых соединениях $\mathrm{A}^{\mathrm{III}}\mathrm{B}^{\mathrm{V}}$

    Докл. АН СССР, 156:2 (1964),  430–433

  54. Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$

    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2054–2057

© МИАН, 2026