RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Рудь Юрий Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Гетеропереходы собственный окисел $p$-GaSb(Ox)/$n$-GaSb: безвакуумный процесс и фотоэлектрические свойства

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  471–474
  2. Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур Ox/$p$-InAs

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1293–1296
  3. Фоточувствительные гетеропереходы Ox/GaAs: создание и свойства

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  802–804
  4. Создание и исследования фоточувствительности гетероструктур Ox/$n$-GaP

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  798–801
  5. Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se$_2$/Mo, полученных на различных подложках

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  231–234
  6. Магнитные и тепловые свойства CuFeS$_2$ при низких температурах

    Физика твердого тела, 53:1 (2011),  70–74
  7. Фоточувствительные тонкопленочные барьеры Шоттки In/$p$-Pb$_x$Sn$_{1-x}$S: создание и свойства

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1084–1089
  8. Четверные твердые растворы (FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и фоточувствительные структуры на их основе

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  941–946
  9. Фоточувствительные структуры на монокристаллах CuIn$_5$Te$_8$: создание и свойства

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  617–621
  10. Поверхностно-барьерные структуры на монокристаллах четырехкомпонентных твердых растворов CdMgMnTe: создание и свойства

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  468–473
  11. Выращивание монокристаллов CdP$_2$ тетрагональной модификации и свойства барьеров на их основе

    ЖТФ, 80:4 (2010),  84–88
  12. Создание и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/$p$-Ag$_3$AsS$_3$

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1059–1063
  13. Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs): создание и свойства

    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  372–376
  14. Фоточувствительность гетеропереходов $n$-CdS/$p$-CdTe, полученных химическим поверхностным осаждением CdS

    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  335–337
  15. Обнаружение твердых растворов (In$_2$S$_3$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и создание фоточувствительных структур на их основе

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  48–52
  16. Выращивание монокристаллов (In$_2$S$_3$)$_x$(FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и свойства фоточувствительных структур на их основе

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  39–43
  17. Исследование твердых растворов в системе CdTe$-$MnTe$-$MgTe

    Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2284–2286
  18. Фотоэлектрические свойства диодов Шоттки In${-}p$-CuInSe$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1996–2000
  19. Поляризационная фоточувствительность тонкопленочных структур $p$-CuInSe$_{2}{-}n$-CdS

    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1861–1865
  20. Оптические гетероконтакты на основе пленок CuInSe$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  558–562
  21. Получение и свойства изотипных гетероструктур на основе $n$-CuInSe$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  556–558
  22. Усиление фотоплеохроизма в структурах $n{-}p$-CdSiAs$_{2}{-}n$-In$_{2}$O$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  506–509
  23. Фотоактивное поглощение в тонких пленках CuInSe$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  2047–2050
  24. Компенсация фотоплеохроизма поляриметрических структур на основе CdGeP$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1469–1471
  25. Фотоэлектрические свойства структур на основе CdGeP$_{2}$ и его бинарного аналога InP

    ЖТФ, 60:9 (1990),  174–176
  26. Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2181–2185
  27. Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов $n$-CdGeP$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1306–1312
  28. Обнаружение анизотропии подвижности дырок в монокристаллах CdSiAs$_{2}$

    Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  9–12
  29. Оптический дихроизм кристаллов CdSnP$_{2}$ в области фундаментального края поглощения

    Физика твердого тела, 31:4 (1989),  108–113
  30. Фотоэлектрохимические ячейки из стеклообразных полупроводников $\text{II}{-}\text{IV}{-}\text{V}_{2}$

    ЖТФ, 59:7 (1989),  112–116
  31. Электрические и фотоэлектрические свойства $n{-}p$-CdSiAs$_{2}$

    ЖТФ, 59:6 (1989),  128–131
  32. Инверсия знака фототока в поляриметрических структурах из CdSiAs$_{2}$ и CdGeP$_{2}$

    ЖТФ, 59:2 (1989),  101–105
  33. Оптические свойства монокристаллов AgGaTe$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1778–1783
  34. Анизотропия длинноволнового оптического поглощения монокристаллов CuInTe$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1299–1301
  35. Спектры фоточувствительности структур Cu$-$CdSiP$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1002–1005
  36. Фотоэффект в гетероструктурах In$_{2}$O$_{3}$/CuInSe$_{2}$, полученных методом термического окисления

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  869–872
  37. Поляризационная фоточувствительность барьеров электролит$-$CdGeP$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  312–315
  38. Фундаментальный край оптического поглощения монокристаллов CdSiAs$_{2}$

    Физика твердого тела, 30:12 (1988),  3584–3590
  39. Отражение и эллипсометрия реальной поверхности кристаллов CuInS$_{2}$

    ЖТФ, 58:8 (1988),  1612–1614
  40. Фотовольтаических эффект в гетеропереходе на основе $p$-ZnSnAs$_{2}$

    ЖТФ, 58:8 (1988),  1586–1588
  41. Фотовольтаический эффект в барьерах $n$-CdO$-$CdGeP$_{2}$

    ЖТФ, 58:7 (1988),  1415–1419
  42. Спектры фоточувствительности контакта I$-$III$-$VI$_{2}{-}$электролит

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1699–1701
  43. Фазовый переход халькопирит${}\rightleftarrows{}$ сфалерит в полупроводниках II$-$IV$-$V$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1580–1584
  44. Поляризационная фоточувствительность анизотипных структур $n$-SiO$_{2}{-}p$-CdGeP$_{2}\langle\text{Ga}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1115–1116
  45. Дихроизм кристаллов MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и фотоплеохроизм структур на их основе

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1101–1104
  46. Обнаружение оптического линейного дихроизма в монокристаллах CuInTe$_{2}$

    Письма в ЖТФ, 14:10 (1988),  917–920
  47. Многочастотный «гигантский» фотоплеохроизм

    Письма в ЖТФ, 14:10 (1988),  900–903
  48. Электронные характеристики CuFeS$_{2}$ при низких температурах и его зонная схема в точке $\Gamma$

    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  2209–2212
  49. Кинетика люминесценции в некоторых твердых растворах A$_{2}$B$_{6}$

    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1685–1689
  50. Динамика межатомного взаимодействия, механизм фазового перехода и образования собственных точечных дефектов в кристаллах полупроводника ZnSnAs$_{2}$

    Физика твердого тела, 29:2 (1987),  632–634
  51. Поляриметрический гетерофотоэлемент MnIn$_{2}$Te$_{4}{-}$Si

    ЖТФ, 57:12 (1987),  2403–2404
  52. Физические свойства пленок MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и гетеропереходов на их основе

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1916–1918
  53. Диоды Шоттки на магнитных полупроводниках MnIn$_{2}$Te и MnGa$_{2}$Te$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1051–1053
  54. Фоточувствительность систем полупроводники II$-$IV$-$V$_{2}{-}$ электролит

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  615–619
  55. Экспериментальное обнаружение анизотропии оптического поглощения в кристаллах $Mn\,In_2\,Te_4$ и $Mn\,Ga_2\,Te_4$

    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1040–1043
  56. Фотоэлектрические свойства изотипного гетероперехода $n$-SnO$_{2}{-}n$-CdGeP$_{2}\langle$In$\rangle$

    ЖТФ, 56:10 (1986),  1989–1993
  57. Фотолюминесценция монокристалллов $n$-CdSnAs$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1533–1535
  58. Влияние отклонений от стехиометрии на люминесценцию CdSiAs$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1718–1720
  59. Обнаружение 100%-ной степени линейной поляризации фотолюминесценции анизотропных полупроводников

    ЖТФ, 54:11 (1984),  2253–2255
  60. Гетерофотоэлементы In$_{2}$O$_{3}{-}$соединения A$^{\text{II}}$B$^{\text{IV}}$C$^{\text{V}}_{2}$

    ЖТФ, 53:2 (1983),  325–328
  61. Поляризация примесной фотолюминесценции кристаллов CdSiAs$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2208–2211
  62. Электрическте свойства твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}{-}$A$^{\text{II}}$B$^{\text{IV}}$C$^{\text{V}}_{2}$, облученных ионами H$^{+}$

    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1347–1348
  63. Гетеропереходы твердофазного замещения $p$-Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$SnAs$_{2}{-}n$-CdSnAs$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1265–1269
  64. Фотопроводимость и определение фундаментальных параметров одноосных кристаллов (на примере CdGeP$_{2}\langle\text{Cu}\rangle$)

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  426–430
  65. Фотолюминесценция кристаллов ромбической модификации AgInS$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  341–344
  66. Поляризация люминесценции монокристаллов AgInS$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  281–287
  67. Явления переноса в твердом и жидком $\mathrm{ZnGeP}_2$

    Докл. АН СССР, 216:2 (1974),  303–305
  68. Электрические свойства и фотопроводимость кристаллов $\mathrm{ZnSiAs}_2$ $n$-типа

    Докл. АН СССР, 216:1 (1974),  56–58
  69. О новой области применения некоторых полупроводниковых соединений

    Докл. АН СССР, 189:2 (1969),  297–298
  70. Энергетическая структура зон некоторых кристаллов группы $\mathrm{A}^{\mathrm{II}}\mathrm{B}^{\mathrm{IV}}\mathrm{C}_2^{\mathrm{V}}$

    Докл. АН СССР, 163:4 (1965),  868–869
  71. О фотоэлектрических свойствах кристаллов $p$-$\mathrm{ZnSiAs}_2$ и $p$-$\mathrm{CdGeAs}_2$

    Докл. АН СССР, 161:5 (1965),  1065–1066
  72. Новые стеклообразные соединения

    Докл. АН СССР, 160:3 (1965),  633–634
  73. Исследование кристаллов $\mathrm{ZnSiP}_2$, $\mathrm{CdSiP}_2$ и $\mathrm{ZnSiAs}_2$

    Докл. АН СССР, 154:5 (1964),  1116–1119

© МИАН, 2026