Драбкин Игорь Абрамович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гибридные режимы работы термоэлектрических модулей
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  13–16
2. Термоэлектрические интенсификаторы теплообмена
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  3–6
3. Холодильный коэффициент составной охлаждающей термоэлектрической ветви
   
   Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  685–688
4. Циклостойкие миниатюрные термоэлектрические модули
   
   Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  604–607
5. Оптимизация составной генераторной ветви
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1052–1054
6. Контактные сопротивления в составных термоэлектрических ветвях
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1038–1040
7. Оптимизация составной охлаждающей ветви
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  952–954
8. О создании функционально-градиентных термоэлектриков методом искрового плазменного спекания
   
   Письма в ЖТФ, 40:21 (2014),  79–87
9. Энергетическая фильтрация носителей тока в наноструктурированном материале на основе теллурида висмута
   
   Физика твердого тела, 53:1 (2011),  29–34
10. Магнитная восприимчивость в слабом магнитном поле и строение валентной зоны теллурида олова
    
    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  2869–2880
11. Химический окисел для поверхностно-барьерных структур на основе Рb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te ($x=0$; $x=0.23$) по данным ЭОС
    
    Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1071–1075
12. Об электронной составляющей электропроводности твердых электролитов
    
    Физика твердого тела, 29:1 (1987),  287–289
13. Поверхностно-барьерные структуры с промежуточным слоем на Pb$_{0.77}$Sn$_{0.23}$Te
    
    ЖТФ, 57:12 (1987),  2355–2360
14. О донорных и акцепторных центрах в полупроводниках A$_{2}^{\text{I}}$X$^{\text{VI}}$ и A$^{\text{I}}$B$^{\text{III}}$X$_{2}^{\text{VI}}$ (где A$^{\text{I}}$ — Cu, Ag; B$^{\text{III}}$ — Al, Ga, In; X$^{\text{VI}}$ — S, Se, Te)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1715–1718
15. Двухэлектронный донорный уровень в теллуриде германия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  188–191
16. Сверхпроводящий переход в SnTe, легированном индием
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1094–1099
17. Энергия поляризации гетеровалентного иона и диспропорционирование заряда в ионных кристаллах
    
    Физика твердого тела, 27:7 (1985),  2045–2051
18. Особенности легирующего действия In в SnTe
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2203–2208
19. Сверхпроводящие материалы с электронными парами, локализованными на ионах решетки
    
    Физика твердого тела, 25:7 (1983),  1974–1982
20. О фотопроводимости Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, легированного In
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  969–972
21. О механизме термического превращения полиакрилонитрила
    
    Докл. АН СССР, 154:1 (1964),  197–199